1、芯片介绍

Intel MAX 10设备是单芯片、非易失性的低成本可编程逻辑设备（PLDs），用于集成最佳的组件集。 Intel MAX 10设备的特点包括：内部存储的双配置闪存 用户闪存 即时启动支持 集成模拟数字转换器（ADCs） 单芯片Nios II软核处理器支持 Intel MAX 10设备是系统管理、I/O扩展通信控制平面、工业、汽车和消费应用的理想解决方案。

2、产品特性

简单快速的配置 安全片上闪存能够在10毫秒内完成设备配置 灵活性和集成性  单个设备集成PLD、RAM、闪存、数字信号处理(DSP)、ADC、锁相环(PLL)和I/O  可提供3毫米×3的小封装 低功耗  睡眠模式—显著降低待机功耗，并在1毫秒内恢复  更长的电池寿命—在10毫秒内完全断电中恢复 预计20年寿命周期 基于台积电55纳米嵌入式闪存工艺技术 高生产率设计工具  Intel Quartus Prime Lite版（免费许可）  平台设计器(标准版)系统集成工具  Intel FPGA的DSP Builder  Nios II嵌入设计套件(EDS)

技术 55 纳米台积电嵌入式闪存（Flash SRAM）工艺技术 封装  低，小外形尺寸封装——支持多种封装技术和引脚间距  多种设备密度，具有兼容的封装脚印，以实现不同设备密度之间的无缝迁移 符合RoHS6标准 核心架构  4 输入查找表（LUT）和单个寄存器逻辑元素（LE）  LE 排列在阵列块（LAB）中  嵌入式 RAM 和用户闪存  时钟和 PLL  嵌入式乘法器块  通用/O 内部内存块  M9K——9 千比特（Kb）内存块  可级联块以创建 RAM、双端口和 FO 功能 用户闪存（UFM）  用户可访问的非易失性存储器  高速度操作频率  大型存储器大小  高数据保持  多种接口选项 嵌入式乘法器块   一个 18 × 18 或两个 9 × 9 乘器模式  可级联块，能够创建滤波器、算术函数和图像处理管道 ADC  12 位逐次逼近寄存（SAR）型  高达 17 个模拟输入

累积速度高达每秒 100 万次采样（MSPS）  温度感知功能 时钟网络  支持全局时钟  时钟网络中高速频率 内部振荡器 内置内部环振荡器 PLL  基于模拟  低抖动  高精度时钟合成  时钟延迟补偿  零延迟缓冲  多个输出引脚 通用 I/OGPIOs）  支持多种 I/O 标准  片上终止（OCT）  高达 830 兆比特每秒Mbps）的 LVDS 接收器，800 Mbps LVDS 发射器 外部内存接口（EMIF）(1) 支持高达600 Mbps 的外部内存接口：

DDR3, DDR3L, DDR2, LPDDR2（在10M16、10M25、1M40和10M50上）  SRAM（仅硬件支持） 注意：对于600 Mbps性能，需要-6设备速度等级 性能根据设备等级（商业、工业或汽车）和设备速度等级（-6或-7）而变化。更多详情请参考Intel MAX 10 F设备数据表或外部内存接口规范估算器。 配置  内部配置  JTAG  高级加密标准（AES）128位和压缩选项  闪存内存数据保留，在85°C时为20年 灵活的电源供应方案  单电源和双电源选项  动态控制的输入缓冲区电源关闭  动态功耗减少的睡眠模式