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    70V24L20PFGI RENESAS/(瑞萨) 高速8/4K x 8(8/4Kx16)双端口静态RAM

    IDT70V35/34(IDT70V25/24)是一款高速8/4K x 8(8/4Kx16)双端口静态RAM。IDT70V35/34(IDT70V25/24专为用作独立双端口RAM或组合主/从双端口RAM而设计,适用于36位(32位)或更宽的存储系统应用,从而全速无错误的操作,无需额外的离散逻辑。该设备提供两个独立的端口,具有单独的控制、地址和I/O引脚,允许独立、异步内存中的任何位置进行读写操作。CE控制的自动关机功能允许每个端口的芯片电路进入非常低的待机功耗模式。这些设备采用CMOS高性能技术,通常仅需430mW(IDT70V35/34)和400mW(IDT70V25/4)的功率。IDT70V35/34(IDT70V25/24)采用塑料100引脚薄四侧平封装。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    IDT70V35/34(IDT70V25/24)是一款高速8/4K x 8(8/4Kx16)双端口静态RAM。IDT70V35/34(IDT70V25/24专为用作独立双端口RAM或组合主/从双端口RAM而设计,适用于36位(32位)或更宽的存储系统应用,从而全速无错误的操作,无需额外的离散逻辑。该设备提供两个独立的端口,具有单独的控制、地址和I/O引脚,允许独立、异步内存中的任何位置进行读写操作。CE控制的自动关机功能允许每个端口的芯片电路进入非常低的待机功耗模式。这些设备采用CMOS高性能技术,通常仅需430mW(IDT70V35/34)和400mW(IDT70V25/4)的功率。IDT70V35/34(IDT70V25/24)采用塑料100引脚薄四侧平封装。IDT70V24采用84引脚PLCC封装

    2、产品特性

    真双端口存储器单元,允许同时读取同一内存位置  高速访问IDT70V35– 商业:15ns (最大值)– 工业: 20nsIDT70V34– 商业: 15ns (最大值)IDT0V25– 商业: 15/35ns (最大值)– 工业: 20/25nsIDT70V24– 商业: 15//35/55ns (最大值)– 工业: 15/20ns  低功耗操作– ID70V35/34L活动: 415mW (典型值)待机: 660μW (典型值) ID70V25/24S – IDT70V25/24L活动: 400mW (典型值) 活动: 80mW (典型值)待机: 3.3mW (典型值) 待机: 660μW (典型值) 单独的上字节和下字节控制,用于复用总线兼容性  IDT70V35/34 (IDT70V25/4) 通过主/从选择,可以轻松扩展数据总线宽度到 36 位 (32 位) 或更多,当级联多个时  M/S = VIH 对于主设备上的 BUSY 输出标志M/S = VIL 对于从设备上的 BUSY 输入标志 BUSY 和中断标志  片上端口仲裁逻辑  完全在片上硬件支持端口之间的信号量信号  完全异步操作,从一端口  LVTTL 兼容,单一 3.3V (±0.3V) 电源  可用 100 针QFP (IDT70V35/34) & (IDT70V25/24),和 84 针 PL (IDT70V24)  工业温度范围 (-40°C 至 85°C) 适用于选定速度  部件可用


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    RENESAS/(瑞萨)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    70V24L20PFGI

    产品封装:

    100-TQFP(14x14)

    标准包装:

    45个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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    采购:70V24L20PFGI RENESAS/(瑞萨) 高速8/4K x 8(8/4Kx16)双端口静态RAM

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