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    DS35Q1GA-IB Dosilicon(东芯半导体) DDR4 SDRAM(同步动态随机存储器)

    DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位(含 x8 位冗余容量)的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电,并采用 SPI 接口。内存被划为可独立擦除的块,因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块,每个块由 6页组成,每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内入 2112 字节的页,而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时重复脉,以及内部数据验证和裕度调整。芯片内部实现了 4 位 ECC 逻辑,默认情况下处于启用状态。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位(含 x8 位冗余容量)的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电,并采用 SPI 接口。内存被划为可独立擦除的块,因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块,每个块由 6页组成,每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内入 2112 字节的页,而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时重复脉,以及内部数据验证和裕度调整。芯片内部实现了 4 位 ECC 逻辑,默认情况下处于启用状态。内部 ECC 可通过命令禁用或重新启用当内部 4 位 ECC 逻辑被禁用时,主机端需要通过主机微控制器处理 4 位 ECC。串行外设接口(SPI)为 ND 闪存提供了一种经济高效的非易失性存储解决方案,适用于必须将引脚数保持在最低限度的系统。它也是 SPI-NOR 的一种替代方案与 SPI-NOR 相比,它具有更优的写入性能和更低的每比特成本。

    2、产品特性

    串行外设接口模式0和模式3

    标准、双线、四线SPI

    标准SPI:SCLK, CS#, SI, SOSPI:SCLK, CS#, SI00, SIO1

    四线SPI:SCLK, CS#, SI00, SIO1, SI02 SI03

    供电电压

    VCC = 1.8/3.3伏核心供电电压,用于读、写和擦除操作

    页取/编程

    (2048 64备用) 字节

    随机访问:25us (无ECC),70us(有ECC)

    串行访问104MHz (1.8V/3.3V)

    页编程时间:300us (典型值)

    快速块擦除

    块大小(128K 4K) 字节

    块擦除时间:2ms (典型值)

    存储单元阵列

    (2K   64) 字节 x 64 页 x 1024 块

    电子签名

    制造代码

    设备代码

    状态寄存器

    硬件数据保护通过 WP# 引脚启用/禁用保护顶部或底部,块选择组合

    数据保持

    最写次数:100K 次编程/擦除循环数据保持:10 年(4位/512字节 ECC)可启用内部 ECC(4位CC)块零是有效块,启用 ECC 后至少可进行 1K 次编程-擦除循环



    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       Dosilicon/东芯半导体

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    DS35Q1GA-IB

    产品封装:

    WSON-8-EP(6×8mm)

    标准包装:

    2000个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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