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GD25Q128ESIG GD(兆易创新) NOR FLASH 闪存芯片
GD25Q128E (128m位)串行闪存支持标准串行外设接口SPI (Serial Peripheral Interface, SPI)和Dual/Quad SPI:串行时钟，芯片选择，串行数据I/ 0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#/RESET#)。双I/O数据为传输速度为266Mbit/s, Quad I/O数据传输速度为532Mbit/s。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
GD25Q128E (128m位)串行闪存支持标准串行外设接口SPI (Serial Peripheral Interface, SPI)和Dual/Quad SPI:串行时钟，芯片选择，串行数据I/ 0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#/RESET#)。双I/O数据为传输速度为266Mbit/s, Quad I/O数据传输速度为532Mbit/s。
2、产品特性
128m位串行闪存，快速的程序/擦除速度- 16m -字节-页程序时间:0.5ms典型-每个可编程页256字节-扇区擦除时间:45ms典型—块擦除时间:0.15s/典型0.25s，标准，双，四SPI芯片擦除时间:50秒典型-标准SPI: SCLK, cs#， SI, SO, WP#， HOLD#， RESET#-双SPI: SCLK, cs#， IO0, IO1, WP#， HOLD#， RESET#，结构灵活-四路SPI: SCLK, cs#， IO0, IO1, IO2, IO3, RESET# - 4k字节的统一扇区- 32/ 64k字节的统一块.时钟频率高- 133MHz，可在30PF负载下快速读取—双路I/O数据传输速率可达266Mbits/s—典型待机电流为14μA—四路I/O数据传输速度高达532mbit /s—1μA典型的深掉电电流.软件/硬件写保护，高级安全功能—通过软件对全部/部分内存进行写保护—每个设备的128位唯一标识-启用/禁用保护与WP#引脚-串行Flash可发现参数(SFDP)寄存器-顶部/底部块保护-带OTP锁的3x1024字节安全寄存器。持久和数据保持.单电源电压-最少100,000个程序/擦除周期-全电压范围:2.7-3.6V-典型的20年数据保留.包装信息.支持XiP (eXecute in Place)操作- SOP8 208mil-高速读取减少整体XiP指令读取时间- SOP16 300mil-带Wrap的连续读取进一步减少数据延迟至- USON8 (4x4mm, 0.45mm厚度)填充SoC缓存- WSON8 (6x5mm)- WSON8 (8x6mm)- TFBGA-24ball (6x4球阵列)- TFBGA-24ball (5x5球阵列)
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
GD(兆易创新) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
GD25Q128ESIGR |
产品封装： |
SOP-8-208mil |
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标准包装： |
2000个/盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：GD25Q128ESIG GD(兆易创新) NOR FLASH 闪存芯片
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