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GDQ2BFAA-WQ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
电源：Voo = Vopo = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；VPp = 2.5V (2.375V 至 2.75V) JEDEC 标准封装：96 球 FBGA (x16) 阵列配置：8 银行 (x16)，2 组 4 银行 8n 位预取架构 突发长度 (BL：8 和 4（带突发截断 BC） 可编程 CAS 延迟 (CL) 可编程 CAS 写延迟 (CWL) 内部生成的 VREr 用于数据 写数据掩码 (DM) 片上终结 (ODT)：支持标称、停机和动态 ODT 接口：1.2V 开漏 (POD) 10 差分时钟和数据选通输入 (CK_t,CK_c; DQS_t, DQS_c) 每 DRAM 寻址 DA) 数据总线反转 (DBI) 上电异步复位 最大省电模式 (MPSM) 预充电：每个突发访问的自动充电选项 工作壳温：-40°C ≤ TcAsE ≤ 95°C 支持自动刷新和自刷新模式
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
电源：Voo = Vopo = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；VPp = 2.5V (2.375V 至 2.75V) JEDEC 标准封装：96 球 FBGA (x16) 阵列配置：8 银行 (x16)，2 组 4 银行 8n 位预取架构 突发长度 (BL：8 和 4（带突发截断 BC） 可编程 CAS 延迟 (CL) 可编程 CAS 写延迟 (CWL) 内部生成的 VREr 用于数据 写数据掩码 (DM) 片上终结 (ODT)：支持标称、停机和动态 ODT 接口：1.2V 开漏 (POD) 10 差分时钟和数据选通输入 (CK_t,CK_c; DQS_t, DQS_c) 每 DRAM 寻址 DA) 数据总线反转 (DBI) 上电异步复位 最大省电模式 (MPSM) 预充电：每个突发访问的自动充电选项 工作壳温：-40°C ≤ TcAsE ≤ 95°C 支持自动刷新和自刷新模式 平均刷新周期： -7.8 在 -40°C ≤ TcAsE ≤ 85°C -3.9us 在 85°C < TcAsE ≤ 95C 精细粒度刷新 2x、4x 模式用于较小的 teFc 可编程数据选通前导码 支持命令地址 (CA) 奇偶 支持写循环冗余校验 (CRC) 支持连接测试模式 (TEN) 降速模式
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
GD/兆易创新 |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
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产品封装： |
FBGA-96 |
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标准包装： |
128个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：GDQ2BFAA-WQ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
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