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GDQ3BFAM-CJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
电源：Voo = Vooo = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；VPp = 2.5V (2.375V 至 2.75V)，JEDEC 标准封装：96 球 FBG (x16) 阵列配置：8 银行 (x16)，2 组 4 银行，8n 位预取架构，突发长度 (BL：8 和 4（带突发截断 BC），可编程 CAS 延迟 (CL) 可编程 CAS 写延迟 (CWL)，内部生成的 VREr 用于数据，写数据掩码 (DM)，片上终结 (ODT)：支持标称、停靠和动态 ODT 接口：1.2V 开漏 (POD) 10，差分时钟和数据选通输入 (CK_t,CK_c; DQS_t, DQS_c)，每 DRAM 寻址 DA)，数据总线反转 (DBI) 上电异步复位，最大省电模式 (MPSM)，预充电：每个突发访问的自动充电选项，工作壳温：-40°C ≤ TcAsE ≤ 95°C
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
电源：Voo = Vooo = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；VPp = 2.5V (2.375V 至 2.75V)
JEDEC 标准封装：96 球 FBG (x16)
阵列配置：8 银行 (x16)，2 组 4 银行
8n 位预取架构
突发长度 (BL：8 和 4（带突发截断 BC）
可编程 CAS 延迟 (CL)
可编程 CAS 写延迟 (CWL)
内部生成的 VREr 用于数据
写数据掩码 (DM)
片上终结 (ODT)：支持标称、停靠和动态 ODT
接口：1.2V 开漏 (POD) 10
差分时钟和数据选通输入 (CK_t,CK_c; DQS_t, DQS_c)
每 DRAM 寻址 DA)
数据总线反转 (DBI)
上电异步复位
最大省电模式 (MPSM)
预充电：每个突发访问的自动充电选项
工作壳温：-40°C ≤ TcAsE ≤ 95°C
支持自动刷新和自刷新模式
平均刷新周期：
-7.8 在 -40°C ≤ TcAsE ≤ 85°C
-3.9us 在 85°C < TcAsE ≤ 9°C
精细粒度刷新 2x、4x 模式用于较小的 teFc
可编程数据选通前导码
支持命令地址 (CA) 奇校验
支持写循环冗余校验 (CRC)
支持连接性测试模式 (TEN)
降速模式
通过 ZQ 引脚进行输出驱动器校准(Rzo: 240 欧姆 ± 1%)
符合 JEDEC JESD-79-4D 标准
符合 RoHS 标准
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
GD/兆易创新 |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
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产品封装： |
FBGA-96 |
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标准包装： |
1280个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：GDQ3BFAM-CJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
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- GDQ3A8AM-CJ GD(兆易创新) 8Gb x8 DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
- 电源：VDD = VDDQ = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；VPP = 2.5V (2.375V 至 2.75V)，JEDEC 标准封装：78 球 FA (x8) 阵列配置：16 个 Bank (x8)，4 组 4 个 Bank，8n 位预取架构，突长度 (BL)：8 和 4（带突发截断 BC），可编程 CAS 延迟 (CL)，可编程 CAS 写延迟 (CWL)，内部生成的输入 VREF，写数据掩码 (DM)，片上终结 (ODT)：支持标称、停机和动态 ODT 口：1.2V 伪开漏 (POD) I/O，差分时钟和数据选通输入 (CK_t ,CK_c; DQS_t, DQS_c 每 DRAM 寻址 (PDA)，数据总线反转 (DBI)上电异步复位，最大功耗节省模式 (MM)，预充电：每个突发访问的自动预充电选项
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