全国服务热线-
GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。GigaDev SPI NAND是一种易于集成的NAND闪存，具有专门设计的功能以简化主机管理：用户可选的内部ECC。在页编操作期间，ECC校验位在内部生成。当页被读取到缓存寄存器时，ECC校验位会被检测并在必要时纠正错误即使启用了内部ECC，64字节的备用区域仍然可用。设备输出已纠正的数据并返回ECC错误状态。带内部ECC的内部移动或回写。设备可以轻松进行刷新并管理垃圾回收任务，无需数据的移入和移出。带内部ECC的上电读取。备上电后会自动将第一个块的第一个页读取到缓存，然后主机可以直接从缓存读取数据以实现轻松启动。此外，当启用EC时，数据的正确性由内部ECC保证。
它以页为单位进行编程和读取操作，以块为单位进行擦除操作。数据以页为单位在NAND闪存阵列与数据寄存器及缓存寄存器之间传输。缓存寄存器靠近I/O控制电路，用作I/O数据的缓冲区；数据寄存器靠近存储器阵列，用作NAND闪存阵列操作的缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器，支持页数据和随机数据的读写及回写操作。这些设备还使用SPI状态寄存器来报告设备操作状态。
2、产品特性
1Gb SLC NAND闪存
组织结构
内部ECC开启 (ECC_EN=1，默认)：大小：2048字节 64字节
内部ECC关闭 (ECC_EN=0)：页大小：2048字节 128字节
标准、双SPI、四SPI、DTR
标准SPI：SCLK, CS#, SI, SO. WP#, HOLD#
双SPI：SCLK, #, SIO0, SIO1, WP#, HOLD#
四SPI：SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, S3
DTR（双倍传输速率）读取：SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, SIO3
高时钟频率
- 3.3V：快速读取时30pF负载下为133MHz
- 1.8V：快速读取pF负载下为104MHz
- 3.3V：四线I/O数据传输速率高达532 Mbits/s
- 1.：四线I/O数据传输速率高达416 Mbits/s
软件/硬件写保护
- 通过软件写保护全部/部分内存
- WP#引脚进行寄存器保护
- 断电锁定保护
单电源电压
- 1.8V全电压范围：1.7V 2.0V
- 3.3V全电压范围：2.7V ~ 3.6V
高级安全特性8K字节OTP区域
编程/擦除/读取速度
- 典型页编程时间：4微秒
- 典型块擦除时间：3毫秒
- 最大页读取时间：60微秒
· 低功耗
- 最大工电流：30mA
- 最大待机电流：50微安
增强的访问性能
- 2K字节缓存用于快速随机读取
· NND高级特性
- 工厂良块
可靠性
- 带ECC的P/E循环次数：10万次
- 数据保存时间：10
内部ECC
- 528字节/4位
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
GD/兆易创新 |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
|
产品封装： |
FBGA-96 |
|
标准包装： |
1280片/盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- GDQ3BFAM-CQ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
- 品牌:兆易创新(GigaDevice)，类型:DDR4 SDRAM(同步动态随机存储器)，容量/位宽:8Gb(512Mx16)数据 速率:2666Mbps,CL-tRCD-tRP=19-19-19，供电:1.2V (VDD/VDDQ=1.14V~1.26V)，温度等级:商业级(C):0°C~+95°C 状态:量产(MP)，标准:JEDECJESD-79-4D、RoHS合规
- GDQ3BFAM-CJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
- 电源：Voo = Vooo = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；VPp = 2.5V (2.375V 至 2.75V)，JEDEC 标准封装：96 球 FBG (x16) 阵列配置：8 银行 (x16)，2 组 4 银行，8n 位预取架构，突发长度 (BL：8 和 4（带突发截断 BC），可编程 CAS 延迟 (CL) 可编程 CAS 写延迟 (CWL)，内部生成的 VREr 用于数据，写数据掩码 (DM)，片上终结 (ODT)：支持标称、停靠和动态 ODT 接口：1.2V 开漏 (POD) 10，差分时钟和数据选通输入 (CK_t,CK_c; DQS_t, DQS_c)，每 DRAM 寻址 DA)，数据总线反转 (DBI) 上电异步复位，最大省电模式 (MPSM)，预充电：每个突发访问的自动充电选项，工作壳温：-40°C ≤ TcAsE ≤ 95°C
- GDQ3A8AM-WQ GD(兆易创新) 8Gb x8 DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
- 电源：Voo = Vopo = 1.2V (1.14V 至 1.6V)；Vpp = 2.5V (2.375V 至 2.75V) JEDEC 标准封装：78 球 FBGA (x8) 阵列配置：16 银行 (x8)，4 组，每组 4 个银行 8n 位预取架构 突发长度(BL)：8 和 4（带突发截断 BC） 可编程 CAS 延迟 (CL) 可编程 CAS 写延迟 (CWL) 内部生成的数据输入 VREF写数据掩码 (DM) 片上终结 (ODT)：支持标称、停机和动态 ODT 接口：1.2V 伪漏 (POD) 1O 差分时钟和数据选通输入 (CK_t,CK_c; DQS_t, DQS_c) 每 DRAM 寻址 (P) 数据总线反转 (DBI) 上电异步复位 最大省电模式 (MPSM) 预充电：每个突发访问的自动预电选项 工作壳温：-40°C ≤ TcAsE ≤ 95°C 支持自动刷新和自刷新模式
top