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H5AN4G6NBJR-UHC HYNIX/海力士 同步动态随机存取存储器
H5AN4G4NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxC、H5AN4G6NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxI、H5AN4G6NBJR-xxI是4Gb CMOS双数据速率IV（DDR4）同步动态随机存取存储器，非常适合需要大内存密度和高带宽的主内存应用。SK海力士4Gb DDR4 SDRAM提供完全同步的操作，参考时钟的上升和下降边。虽然所有地址和控制输入都在CK的上升边（CK的下降边）进行锁存，但数据、数据复位和写数据掩码输入在上升边和下降边进行采样。数据路径在内部进行流水线处理，并预取8位，以实现非常高的带宽。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
H5AN4G4NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxC、H5AN4G6NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxI、H5AN4G6NBJR-xxI是4Gb CMOS双数据速率IV（DDR4）同步动态随机存取存储器，非常适合需要大内存密度和高带宽的主内存应用。SK海力士4Gb DDR4 SDRAM提供完全同步的操作，参考时钟的上升和下降边。虽然所有地址和控制输入都在CK的上升边（CK的下降边）进行锁存，但数据、数据复位和写数据掩码输入在上升边和下降边进行采样。数据路径在内部进行流水线处理，并预取8位，以实现非常高的带宽。
2、产品特性
VDD=VDDQ=1.2V /- 0.06V，全差分时钟输入（CK，CK）操作，差分数据数据突触（DQS，DQS），片上DLL对齐DQ，DQS和DQS转换与CK转换同步，DM掩码在数据数据突触的上升和下降边写数据-在数据数据突触的上升和下降边写数据，除了数据，数据数据突触和数据掩码之外的所有地址和控制输入都在时钟的上升边进行锁存，可编程CAS潜伏期9，11，12，13，14，15，16，17，18，19和20，可编程附加潜伏期0，CL-1和CL-2支持（仅限x4/x8），可编程CAS写潜伏期（CWL）=9，10，11，12，14，16，18，可编程突发长度4/8，具有半字节顺序和交织模式， BL在飞行中切换， 16个银行，平均刷新周期（Tcase为0℃~95℃）-在0℃~85℃时为7.8 µs-在85℃~95℃时为3.9 µs，操作温度范围 - 商业温度（0℃~95℃） - 工业温度（-40℃~95℃），JEDEC标准78球FBGA（x4/x8），96球FBGA（x16），由MRS选择的驱动强度，支持动态在片终止
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
HYNIX/海力士 |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
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产品封装： |
FBGA-96 |
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标准包装： |
160个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：H5AN4G6NBJR-UHC HYNIX/海力士 同步动态随机存取存储器
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