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IS42S32800J-6TLI ISSI(美国芯成) 高速CMOS动态随机存取存储器
256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3Vdd和3.3V Vddq内存系统中工作，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四银行DRAM每个67,108,864位银行组织为4,096行×512列×32位。256MbDRAM包括自动刷新模式和节能的关机模式。所有信号都在时钟信号CLK的上升沿注册。所有输入和输出都兼容LVTTL。 56Mb SDRAM具有自动列地址生成功能，能够在高数据速率下同步突发数据，具有在内部银行之间交错以隐藏预充电时间的能力以及在突发访问期间每个时钟周期随机改变列地址的能力。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3Vdd和3.3V Vddq内存系统中工作，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四银行DRAM每个67,108,864位银行组织为4,096行×512列×32位。256MbDRAM包括自动刷新模式和节能的关机模式。所有信号都在时钟信号CLK的上升沿注册。所有输入和输出都兼容LVTTL。 56Mb SDRAM具有自动列地址生成功能，能够在高数据速率下同步突发数据，具有在内部银行之间交错以隐藏预充电时间的能力以及在突发访问期间每个时钟周期随机改变列地址的能力。 在突发序列结束时，启用AUTO PRECHARGE功能后，可以进行自定时行预充电在访问其他三个银行之一时，预充电一个银行将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。 SDRAM的读写访问是以方式开始的，从选定的位置开始，按照程序化的顺序继续进行程序化的位置数。ACTIVE命令的注册开始访问，随后是READ或WRITE命令。ACT命令结合地址位注册用于选择要访问的银行和行（BA0、BA1选择银行；A0-A11选择行）。READ或WRITE命令地址位注册用于选择突发访问的起始列位置。 可编程的READ或WRITE突发长度包括1、2、4和8个位置或完整页面，具有终止选项。
2、产品特性
时钟频率：166, 143,133 MHz 完全同步；所有信号都参考正时钟边沿 内部银行隐藏行访问/预充电 单一电源：3.3V 0.3V LVTTL接口 可编程突发长度 -(1, 2,4, 8, 完整页面) 可编程突发序列： 顺序/交叉存取 自动刷新（CBR） 自刷新 每16毫（A2级）或每64毫秒（商业，工业，A1级）进行4096次刷新周期 每个时钟周期随机列地址 编程CAS延迟（2, 3时钟） 突发读/写和突发读/单写操作能力 通过突发停止和预充电命令进行突发
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
ISSI(美国芯成)
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产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
IS42S32800J-6TLI |
产品封装： |
TSOP-86-10.2mm
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标准包装： |
108个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：IS42S32800J-6TLI ISSI(美国芯成) 高速CMOS动态随机存取存储器
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