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K4A8G165WB-BCRC SAMSUNG(三星半导体) 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，96FBG
JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V)，VDD = 1.2V (1.14V~1.26V) ，VPP = 2.5V (2.375V~.75V)，800 MHz fCK 用于1600Mb/秒/引脚，933 MHz fCK 用于866Mb/秒/引脚，1067MHz fCK 用于2133Mb/秒/引脚，1200MHzCK 用于2400Mb/秒/引脚，1333MHz fCK 用于2666Mb/秒/引脚1，8个Bank (2个Bank组)，可编程CAS延迟(posted CAS)：10,11,12,13,4,15,16,17,18,19,20 ，可编程CAS写延迟(CWL) = 9,1 (DDR4-1600) , 10,12(DDR4-1866) ,11,14 (DR4-2133) ,12,16 (DDR4-2400) 和 14,18 (DDR4-666)，8位预取，突发长度：8, 4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入 [使用12或MRS]
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V)，VDD = 1.2V (1.14V~1.26V) ，VPP = 2.5V (2.375V~.75V)，800 MHz fCK 用于1600Mb/秒/引脚，933 MHz fCK 用于866Mb/秒/引脚，1067MHz fCK 用于2133Mb/秒/引脚，1200MHzCK 用于2400Mb/秒/引脚，1333MHz fCK 用于2666Mb/秒/引脚1，8个Bank (2个Bank组)，可编程CAS延迟(posted CAS)：10,11,12,13,4,15,16,17,18,19,20 ，可编程CAS写延迟(CWL) = 9,1 (DDR4-1600) , 10,12(DDR4-1866) ,11,14 (DR4-2133) ,12,16 (DDR4-2400) 和 14,18 (DDR4-666)，8位预取，突发长度：8, 4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入 [使用12或MRS] ，双向差分数据-数据突，内部(自)校准：通过ZQ引脚进行内部自校准(ZQ：240欧姆 ± 1%)，使用ODT引脚进行片上终止，平均刷新周期为7.8us，TCASE 85°C，3.9us在85°C <TCASE < 95 °C，支持工业(-40，95°C) - tREFI 7.8us在-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C tREFI 3.9us在85 °C < TCASE ≤ 95°C，异步重置，封装96球FBGA - x16，所有无铅产品均符合RoHS标准，所有产品均无卤素，读/写CRC(循环冗余校验)安全，命令地址奇偶校验，DBI(数据总线反转)
降速模式 POD(伪开漏)接口用于数据输入/输出，内部VREF用于数据输入，外部VPP用于DRAM激活电源，支持PR和sPPR
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Samsung/(三星) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
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产品封装： |
FBGA-96 |
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标准包装： |
112个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：K4A8G165WB-BCRC SAMSUNG(三星半导体) 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，96FBG
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