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K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR3 内存芯片
JEDEC标准1.5V(1.425V~1.575V),VDD = 1.5V(1.425V~1.575V),800Mb/秒/引脚的40MHz fCK，1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK，1333Mb/秒/引脚的67MHz fCK，1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK，1866Mb/秒/引脚的33MHz fCK，2133Mb/秒/引脚的1066 MHz fCK,8个Bank,可编程C延迟(posted CAS)：5,6,7,8,9,10,11,13,14,可编程附加延迟：0 CL-2或CL-1时钟,可编程CAS写延迟(CWL) = 5 (DDR3-800)，6(D3-1066)，7 (DDR3-1333) ，8 (DDR3-1600)，9 (D3-1866) 和10 (DDR3-2133),8位预取,突发长度：8 ，4tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS] ,双向差分数据-时钟
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
JEDEC标准1.5V(1.425V~1.575V),VDD = 1.5V(1.425V~1.575V),800Mb/秒/引脚的40MHz fCK，1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK，1333Mb/秒/引脚的67MHz fCK，1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK，1866Mb/秒/引脚的33MHz fCK，2133Mb/秒/引脚的1066 MHz fCK,8个Bank,可编程C延迟(posted CAS)：5,6,7,8,9,10,11,13,14,可编程附加延迟：0 CL-2或CL-1时钟,可编程CAS写延迟(CWL) = 5 (DDR3-800)，6(D3-1066)，7 (DDR3-1333) ，8 (DDR3-1600)，9 (D3-1866) 和10 (DDR3-2133),8位预取,突发长度：8 ，4tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS] ,双向差分数据-时钟,内部(自校准：通过ZQ引脚进行内部自校准(RZQ：240欧姆 ± 1%),使用ODT引脚的上终止,平均刷新周期为7.8us，低于TCASE 85°C，3.9us在85°C < TCASElt; 95 °C ,异步重置,封装：96球FBGA - x16 ,所有无铅产品符合RoHS标准,所有产品均无卤素
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Samsung/(三星) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
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产品封装： |
FBGA-96 |
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标准包装： |
112个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR3 内存芯片
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