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K4UBE3D4AB-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器
双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输，双向数据采样（DQS_t，DQS_c）这些与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据，差分时钟输入（CK_t和CK_c），差分数据（DQS_t和DQS_c），命令和地址在正CK边缘输入；数据和数据掩码相对于DQS的两个边缘进行引用，芯片2通道组成，每个通道8个内部银行，DMI引脚：DBI（数据总线反转）在正常写入和读取操作时，当D关闭时，数据掩码（DM）用于屏蔽写入 - 当DBI打开时，屏蔽写入的DQ数量为1，突发长度：16，2（OTF），突发类型：顺序，读写延迟：参见表13.4 AC时间，每个突发访问的自动预充电选项 可配置的驱动强度，刷新和自刷新模式，
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输，双向数据采样（DQS_t，DQS_c）这些与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据，差分时钟输入（CK_t和CK_c），差分数据（DQS_t和DQS_c），命令和地址在正CK边缘输入；数据和数据掩码相对于DQS的两个边缘进行引用，芯片2通道组成，每个通道8个内部银行，DMI引脚：DBI（数据总线反转）在正常写入和读取操作时，当D关闭时，数据掩码（DM）用于屏蔽写入 - 当DBI打开时，屏蔽写入的DQ数量为1，突发长度：16，2（OTF），突发类型：顺序，读写延迟：参见表13.4 AC时间，每个突发访问的自动预充电选项 可配置的驱动强度，刷新和自刷新模式，，部分阵列自刷新和温度补偿自刷新，写均衡，CA校准，内部REF和VREF训练，基于FIFO的写/读训练，MPC（多功能命令），LVSTLE（低压摆幅终止逻辑扩展），VDD1/VDD2/VDDQ：1.8V/1.1V/0.6V，VSSQ终止，无D：CK到DQS未同步，边缘对齐的数据输出，数据输入中心对齐的写训练，刷新率：3.9
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Samsung/(三星) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
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产品封装： |
FBGA-200 |
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标准包装： |
2000个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：K4UBE3D4AB-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器
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