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    M25P40-VMN6TPB ST(意法半导体) 串行闪存

    M25P40是一款4Mbit(512K×8)串行闪存,具有先进的写保护机制通过高速SPI兼容总线进行访问。M25P40具有高性能指令,允许时钟频率高达75MHz。(1)内存可以一次编程1到56字节,使用页面编程指令。内存组织为8个扇区,每个扇区包含256页。每页宽256字节。因此,内存可以看作由2048页或524,288字节组成。整个内存可以使用块擦除指令擦除,或者一次擦除一个扇,使用扇区擦除指令。为了满足环境要求,Numonyx提供RoHS兼容封装的M25P40,这些封装无铅。RoHS可在www.Numonyx.com获取。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    M25P40是一款4Mbit(512K×8)串行闪存,具有先进的写保护机制通过高速SPI兼容总线进行访问。M25P40具有高性能指令,允许时钟频率高达75MHz。(1)内存可以一次编程1到56字节,使用页面编程指令。内存组织为8个扇区,每个扇区包含256页。每页宽256字节。因此,内存可以看作由2048页或524,288字节组成。整个内存可以使用块擦除指令擦除,或者一次擦除一个扇,使用扇区擦除指令。为了满足环境要求,Numonyx提供RoHS兼容封装的M25P40,这些封装无铅。RoHS可在www.Numonyx.com获取。重要说明:本数据表详细介绍了M25P40设备的功能,基于之前的150nm工艺或基于110nm工艺(自2008年8月起可用)。新的110nm工艺设备具有以下附加功能,并且与旧的150nm设备完全向后兼容:- 最大频率(快速读取)提高到标准Vcc范围2.7V至3.6V时的75MHz,而在扩展V范围2.3V至2.7V时的最大频率(快速读取)为40MHz- UID/CFD保护

    2、产品特性

    4 Mbit的闪存;2.3 V至3.6 V单电源电压;兼容SPl总线的串行接口;75的时钟速率(最大值);页面编程(最多256字节)在0.8 ms(典型值);扇区擦除(512 Kbit)0.6 s(典型值);整体擦除(4 Mbit)在4.5 s(典型值);深度低功耗模式1 μA(典型值);写保护:保护区域大小由三个非易失性位(BP0、BP1和BP2)定义;电子签名;符合JEDEC标准的两字节签名2013h);唯一的ID代码(UlD),16字节只读,根据客户要求提供;RES指令,一字节,签名(12),用于向后兼容;封装;符合RoHS标准;可提供汽车级部件。


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    ST(意法半导体)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    M25P40-VMN6TPB

    产品封装:

    SO-8

    标准包装:

    2500个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

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