1、芯片介绍 

M25PX16是一款16Mb（2Mb x 8）的串行Flash存储器，先进的写保护机制，通过高速SPI兼容总线访问。该设备支持两种高性能的双输入/输出指令，可以将读取和编程操作的带宽提高一倍：• 双输出快速读取（DOFR）指令通过使用引脚DQ1和引脚DQ0作为输出，高达75MHz的速度读取数据。• 双输入快速编程（DIFP）指令通过使用引脚DQ1和引脚DQ0输入，以高达75MHz的速度编程数据。注意：75MHz的操作仅在VCC范围2.7V–3.6V内可用。器可以使用PAGE PROGRAM指令一次编程1到256字节。它被组织成32个扇区，每个扇区进一步细分为1个子扇区（总共512个子扇区）。存储器可以一次擦除一个4KB的子扇区，一个64KB的区，或者整体擦除。它可以使用混合的易失性和非易失性保护功能通过软件写保护，具体取决于应用需求。保护的粒为64KB（扇区粒度）。M25PX16具有64个一次可编程字节（OTP字节），可以使用两个指令READ OTP和PROGRAM OTP分别读取和编程。这64个字节可以通过特定的PROGRAM OTP序列永久锁定。一旦它们被锁定，它们变成了只读状态，并且这个状态无法逆转。还有其他功能作为额外的安全选项。

2、产品特性

 SPI总线兼容的串行接口• 最高75MHz的时钟频率• 2.3V至36V的单电源电压• 双输入/输出命令，相当于150MHz的时钟频率– 双输出快速读取命令– 双输入快速命令• 16Mb闪存– 统一的4KB子扇区– 统一的64KB扇区• 额外的64字节可锁定的一次性可编程（OTP）区域• 擦除功能– 子扇区（4KB粒度）– 扇区（64KB粒）– 整体擦除（16Mb），典型时间为15秒• 写保护– 软件写保护：适用于每个64KB扇区（失性锁定位）– 硬件写保护：非易失性位BP0、BP1、BP2定义保护区域大小• 深度掉电典型5µA• 电子签名– JEDEC标准2字节签名（7115h）– 唯一ID代码（UID），具有16节只读空间，可根据请求提供• 每扇区超过100,000次写入周期• 数据保留超过20年• 封（符合RoHS）– VFQFPN8（MP）6mm x 5mm– SO8W（MW）208密尔–8N（MN）150密尔– TBGA24（ZM）6mm x 8mm• 可提供汽车认证的