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MT40A1G16TB-062E:F Micron(镁光) 动态随机存取存储器
可调VREFDQ 1.2V伪开漏I/O TC最大95℃n 64ms，8192周期刷新可达85℃n 32ms，8192周期刷新在>85至95℃16个内部银行（x4, x8）：每组4个银行，共4组 8个内部银行（x1）：每组4个银行，共2组 8n-bit预取架构 可编程数据时钟前导 Data strobe preamble trainings 命令地址延迟（CAL） 多功能寄存器 READ和WRITE能力 写均衡 自刷新模式 低功耗自动自刷新（LPASR）温度控制刷新（TCR） 细粒度刷新 自刷新中止 最大功耗节省 输出驱动校准 名义、驻车和动态芯片内终止（ODT） 数据总线反转（DBI）用于数据总线 命令/地址（CA）奇偶校验 数据总线写循环余校验（CRC） 每个DRAM的可寻址性 连接性测试 JEDEC
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
可调VREFDQ 1.2V伪开漏I/O TC最大95℃n 64ms，8192周期刷新可达85℃n 32ms，8192周期刷新在>85至95℃16个内部银行（x4, x8）：每组4个银行，共4组 8个内部银行（x1）：每组4个银行，共2组 8n-bit预取架构 可编程数据时钟前导 Data strobe preamble trainings 命令地址延迟（CAL） 多功能寄存器 READ和WRITE能力 写均衡 自刷新模式 低功耗自动自刷新（LPASR）温度控制刷新（TCR） 细粒度刷新 自刷新中止 最大功耗节省 输出驱动校准 名义、驻车和动态芯片内终止（ODT） 数据总线反转（DBI）用于数据总线 命令/地址（CA）奇偶校验 数据总线写循环余校验（CRC） 每个DRAM的可寻址性 连接性测试 JEDEC JESD-79-4 兼容性 PR和hPPR能力 MBIST-PPR支持
2、产品特性
配置– 256兆 x 4 (32兆 x 4 x 8个银行) 256M4 128兆 x 8 (16兆 x 8 x 8个银行) 128M8– 64兆 x 16 (兆 x 16 x 8个银行) 64M16 FBGA封装 (无铅) – x16– 84球 FBGA8毫米 x 12.5毫米) 芯片修订：HHR– 84球 FBGA (8毫米 x 12.5毫米) 芯片：MNF FBGA封装 (无铅) – x4, x8– 60球 FBGA (8毫米 x 10毫米) 芯片修订：F– 60球 FBGA (8毫米 x 10毫米) 芯片修订：MSH FBGA封装 (含铅焊料) – x1– 84球 FBGA (8毫米 x 12.5毫米) 芯片修订：HHW FBGA封装 (含铅焊料) – x, x8– 60球 FBGA (8毫米 x 10毫米) 芯片修订：HJN 时序 – 周期时间– 1875纳秒 CL = 7 (DDR2-1066) -187E– 2.5纳秒 CL = (DDR2-800) -25E– 3.0纳秒 CL = 5 (DDR2-667) -3自刷新– 标准无– 低功耗 L 工作温度– 商业 (0°C 至 85°C)2 无– 工业–40°C 至 95°C;–40°C 至 85°C)IT
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Micron/(镁光) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
MT40A1G16TB-062E:F
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产品封装： |
FBGA-96
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标准包装： |
1020个/托盘
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最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：MT40A1G16TB-062E:F Micron(镁光) 动态随机存取存储器
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