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MT40A512M8RH-083E:B MICRON/镁光 高速动态随机存取存储器
DDR4 SDRAM 是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为 x16 配置的八银行 DRAM 和8 配置的 16 银行 DRAM。DDR4 SDRAM 使用 8n 预取架构来实现高速操作。8n 预取架构与设计用于在 I/O 引脚上每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR4 SDRAM 的单个读或写操作由内部AM 核心的单个 8n 位宽、四个时钟的数据传输和 I/O 引脚上的两个相应的 n 位宽、半个时周期的数据传输组成。
全国服务热线:15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
DDR4 SDRAM 是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为 x16 配置的八银行 DRAM 和8 配置的 16 银行 DRAM。DDR4 SDRAM 使用 8n 预取架构来实现高速操作。8n 预取架构与设计用于在 I/O 引脚上每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR4 SDRAM 的单个读或写操作由内部AM 核心的单个 8n 位宽、四个时钟的数据传输和 I/O 引脚上的两个相应的 n 位宽、半个时周期的数据传输组成。
2、产品特性
VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV• VPP = 2.5V125mV/ 250mV• 片上、内部、可调 VREFDQ 生成• 1.2V 假开 I/O• 在 TC 温度范围内刷新最大间隔时间:– 在 –40°C 到 85°C 之间为 64ms– 在85°C 到 95°C 之间为 32ms– 在 96°C 到 105°C 之间为 16– 在 106°C 到 125°C 之间为 8ms• 16 个内部存储体 (x8):4,每组 4 个存储体• 8 个内部存储体 (x16):2 组,每组 4 个存储• 8n 位预取架构• 可编程数据选通前导码• 数据选通前导码训练• 命令/地址延迟 ()• 多功能寄存器读写功能• 写平衡• 自刷新模式• 低功耗自动自刷新 (LPASR)• 温度刷新 (TCR)• 细粒度刷新• 自刷新中止• 最大限度节省功耗• 输出驱动器校准• 标称、泊车动态片上终止 (ODT)• 数据总线反转 (DBI) 用于数据总线• 命令/地址 (CA) 奇偶校• 数据总线写循环冗余校验 (CRC)• 每 DRAM 地址映射• 连接性测试• 硬件后封装修复 (PPR) 和软件后封装修复 (sPPR) 模式• 符合 JEDEC JESD-79-4• AEC-Q10• PPAP 提交
封装信息
Encapsulation information
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产品品牌: |
MICRON/镁光 |
产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称: |
MT40A512M8RH-083E:B
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产品封装: |
FBGA-78
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标准包装: |
1260/圆盘
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最低起订: |
1片起售 |
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出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户
Customer
芯火优势
Advantage
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原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
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响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
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支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质
honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购:MT40A512M8RH-083E:B MICRON/镁光 高速动态随机存取存储器
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