1、芯片介绍

DDR2 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行，是 n 预取架构，在 I/O 引脚处每个时钟周期传输两个数据字，单个读写访问包括内部 DRAM 核心的单个 4n 位宽、一个时钟周期的数据传输，以及 I/O 引脚处四个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。

双向数据选通（DQS、DQS#）与数据一起外部传输，用于接收器的数据捕获。在读取时由 DDR2 SDRAM 传输，写入时由内存控制器传输。读操作时 DQS 与数据边沿对齐，写操作时中心对齐。x16 产品有两个数据选通，分别用于低字节和高字节。
DDR2 SDRAM 由差分时钟（CK 和 CK#）运行，CK 高电平和 CK#低电平的交叉称为 CK 的正沿。命令（地址和控制信号）在 CK 的每个正沿注册。输入数据在 DQS 的两个边沿注册，输出数据参考 DQS 和 CK 的两个边沿。
DDR2 SDRAM 提供可编程的读或写突发长度为 4 或 8 个位置。支持中断 8 个位置的突发读进行另一次读操作，或中断 8 个位置的突发写进行另一次写操作。可启用自动预充电功能以在突发访问结束时启动自定时行预充电。
与标准 DDR SDRAM 一样，DDR2 SDRAM 的流水线、多存储体架构支持并发操作，通过隐藏行预充电和激活时间提供高有效带宽。

例如，在服务器系统中，DDR2 SDRAM 的高有效带宽和并发操作特性能够显著提升数据处理效率；在一些对数据连续性要求较高的应用中，可编程的突发长度可以根据实际需求进行灵活配置。

2、产品特性

JEDEC 标准 1.8V I/O（SSTL_18 兼容）；差分数据选通（DQS，DQS#）选项；4n 位预取架构；x8 的重复输出选通（RDQS）选项；DLL 用于使 DQ 和 DQS 转换与 CK 对齐，8 个内部存储体用于并发操作；可编程 CAS 延迟（CL）；后置 CAS 附加延迟（AL）；写延迟 = 读延迟 - 1 CK；可选突发长度（BL）：4 或 8；可调节数据输出驱动强度；64ms，8192 周期刷新；片内终端（ODT）；符合 RoHS 标准；支持 JEDEC 时钟抖动规范；PPAP 提交；8D 响应时间。

例如，在汽车电子领域，符合 RoHS 标准和支持 JEDEC 时钟抖动规范对于保证产品的可靠性和稳定性至关重要。而可编程的参数和可调节的特性则为不同的应用需求提供了灵活性。