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MT48LC16M16A2B4-6A:G Micron(镁光) 高速的CMOS动态随机存取存储器
256Mb SDRAM是一种高速的CMOS动态随机存取存储器，包含268,435,456位它内部配置为具有同步接口的四银行DRAM（所有信号都在时钟信号CLK的正边缘注册）。 每个x4的67,108,64位银行组织为8192行×2048列×4。 比特。x8的每个67,108,864比特的银行组织为8192行以1024列乘以8比特。x16的每个67,108,864比特的银行组织为8192行乘512列乘以16比特。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定的位置开始，以编程的顺序继续访问编程数量的。访问以注册一个ACTIVE命令开始，然后跟随一个READ或WRITE命令。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
256Mb SDRAM是一种高速的CMOS动态随机存取存储器，包含268,435,456位它内部配置为具有同步接口的四银行DRAM（所有信号都在时钟信号CLK的正边缘注册）。 每个x4的67,108,64位银行组织为8192行×2048列×4。
比特。x8的每个67,108,864比特的银行组织为8192行以1024列乘以8比特。x16的每个67,108,864比特的银行组织为8192行乘512列乘以16比特。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定的位置开始，以编程的顺序继续访问编程数量的。访问以注册一个ACTIVE命令开始，然后跟随一个READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时注册的地址位用于选择要访问的银行和行（[1:0]选择银行；A[12:0]选择行）。与READ或WRITE命令同时注册的地址位用于选择突发访问的起始列。SDRAM提供可编程的读或写突发长度（BL）为1、2、4或8个位置，或整个页面，具有突发终止选项。可以自动预充电功能，提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。256Mb SDRAM使用内部流水线架构来实现高速操作。该与预取架构的2n规则兼容，但它也允许在每个时钟周期内改变列地址，以实现高速、完全随机的访问。在访问其他三个银行时，预充电一个银行将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。256Mb SDRAM设计用于在3.3内存系统中操作。提供自动刷新模式以及节能、关机模式。所有输入和输出都是LVTTL兼容的
SDRAMs在DRAM操作性能方面提供了显著的进步，包括能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址；能够在内部之间进行交叉存取以隐藏预充电时间；以及在突发访问期间，能够在每个时钟周期随机改变列地址。
2、产品特性
PC100和PC133兼容 完全同步；所有信号在系统时钟的上升沿注册 内部流水线操作；列地址每个时钟周期内改变 内部隐藏行访问/预充电的银行 可编程突发长度：1, 2, 4, 8，或完整页面 预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式 自刷新模式（AT设备上不可用） 自动刷新 64毫秒，8192期的刷新（商业和工业） 16毫秒，8192周期的刷新（汽车） IVTTL兼容的输入和输出 单一3.V 0.3V电源供应
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Micron(镁光)
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产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
MT48LC16M16A2B4-6A:G |
产品封装： |
VFBGA-54(8x8)
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标准包装： |
2000个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：MT48LC16M16A2B4-6A:G Micron(镁光) 高速的CMOS动态随机存取存储器
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