芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    MX25L51245GMI-10G MXIC/(旺宏电子) 3V、512Mbit CMOS串行多I/O闪存

    MX25L51245G是一款512Mb位串行NOR闪存,内部为67,108,864 x 8。当它处于两或四I/O模式时,结构变为268,435456位x 2或134,217,728位x 4。MX25L51245G具有串外设接口和软件协议,允许在单I/O模式下在简单的3线总线上操作。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。当它处于两I/O读取模式时,引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚,用于地址/伪位输入和数据输出。当它处于四I/O模式时,SI引脚、SO引脚、WP#和RESET#引脚(8引脚封装)或NC引脚变为SIO0引脚、O1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚,用于地址/伪位输入和数据输出。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    MX25L51245G是一款512Mb位串行NOR闪存,内部为67,108,864 x 8。当它处于两或四I/O模式时,结构变为268,435456位x 2或134,217,728位x 4。MX25L51245G具有串外设接口和软件协议,允许在单I/O模式下在简单的3线总线上操作。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。当它处于两I/O读取模式时,引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚,用于地址/伪位输入和数据输出。当它处于四I/O模式时,SI引脚、SO引脚、WP#和RESET#引脚(8引脚封装)或NC引脚变为SIO0引脚、O1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚,用于地址/伪位输入和数据输出。MX25L51245 MXSMIO?(串行多I/O)提供整个芯片的顺序读取操作。在发出程序/擦除命令后,将执行自动程序/擦除算法这些算法将程序/擦除并验证指定的页面或扇区/块位置。程序命令在字节基础上执行,或页面(256字节)基础上执行,字基础上执行擦除命令在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块或整个芯片基础上执行。为了提供用户接口的便利包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态读取命令可以通过WIP位来检测程序或擦除操作的完成状态。高级安全特性增强了保护和安全性功能请参阅安全特性部分了解更多详情。当设备不运行且CS#为高电平时,它将保持待机模式。MX25L5125G使用Macronix的专有内存单元,即使在100,000次编程和擦除周期后也能可靠地存储内存内容

    2、产品特性

    支持串行外设接口--模式0和模式3 单电源供电操作 - 读、擦除和编程操作的为2.7至3.6伏 536,870,912 x 1位结构或268,435,46 x 2位(两种I/O模式)结构或134,217,728 x 4位(四种I/O模式) 协议支持 - 单I/O、双I/O和四I/O 闩锁保护至100mA,从-1V到cc 1V SPI模式快速读取 - 支持所有协议的时钟频率高达166MHz 支持快速读取、2READ、DREAD、4READQREAD指令 支持DTR(双传输速率)模式 可配置的快速读取操作的假周期数 支持性能增强模式 - XIP(即定位) 可用四外设接口(QPI) 相等的4K字节扇区,或每个32K字节或64K字节的等块- 任何块都可以单独擦除 编程 :- 256字节页面缓冲区- 四输入/输出页面编程(4PP)以提高性能 典型的100,000次擦除/程序周期 20年数据保留


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

      MXIC/(旺宏电子)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    MX25L51245GMI-10G

    产品封装:

    SOP-16-300mil

    标准包装:

    1000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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    采购:MX25L51245GMI-10G MXIC/(旺宏电子) 3V、512Mbit CMOS串行多I/O闪存

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