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    NSI6602B-DSPNR NOVOSENSE/(纳芯微) 高可靠性隔离双通道栅极驱动IC

    NSi6602是一款高可靠性隔离双通道栅极驱动IC系列,可以设计用于驱动高达2MHz开关频率的功率管。每个输出可以提供4A的源电流和6A的峰值漏电流,具有25ns的快速传播延迟和5ns的最大延迟匹配。NSi602在5mm x 5mm LGA13封装中提供每UL1577 2500Vrms的隔离,在SOP1(150mil)封装中提供3000Vrms的隔离,在SOP16(300mil)或SOP14(30mil)封装中提供5700Vrms的隔离。系统鲁棒性由150kV/us典型的共模瞬态抗扰度(CMTI)支持。驱动器在最大25V的供电电压下工作,而输入侧接受2.7V至5V的供电电压。欠压锁定(UV)保护由所有电源电压引脚支持。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    NSi6602是一款高可靠性隔离双通道栅极驱动IC系列,可以设计用于驱动高达2MHz开关频率的功率管。每个输出可以提供4A的源电流和6A的峰值漏电流,具有25ns的快速传播延迟和5ns的最大延迟匹配。NSi602在5mm x 5mm LGA13封装中提供每UL1577 2500Vrms的隔离,在SOP1(150mil)封装中提供3000Vrms的隔离,在SOP16(300mil)或SOP14(30mil)封装中提供5700Vrms的隔离。系统鲁棒性由150kV/us典型的共模瞬态抗扰度(CMTI)支持。驱动器在最大25V的供电电压下工作,而输入侧接受2.7V至5V的供电电压。欠压锁定(UV)保护由所有电源电压引脚支持。

    2、产品特性

    独立双通道驱动器 输入侧供电电压:2.7V至5.5V;驱动侧供电电压:高达25V,UVLO 4A峰值源和6A峰值漏极输出 高CMTI:典型值150kV/μs 典型传播延迟25ns 延迟6ns 最大脉冲宽度失真6ns 可编程死区时间 接受最小输入脉冲宽度15ns 工作温度:-40℃~15℃

    UL 认证:LGA13: 2500Vrms 按照UL1577标准1分钟

    SOP16/SOP14(300mil):按照UL1577标准,每分钟5700Vrms,1分钟

    SOP16(150mil): 按照UL1577标准,每分钟3000Vrms,持续1

    DIN VDE VO884-11:2017-01 CSA组件通知 5A CQC认证符合GB943.1-2011

    3、应用

    服务器、电信和工业中的隔离式直流-直流和交流-直流电源; 直流-交流太阳能逆变器; 电机驱动和电动汽车充电 不间断电源和电池充电器。


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    NOVOSENSE/(纳芯微)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    NSI6602B-DSPNR

    产品封装:

    SOP-16-150mil

    标准包装:

    2500个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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