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    NSi6602B-DSWR NOVOSENSE/(纳芯微) 高可靠性隔离双通道栅极驱动IC

    NSI6602是一款高可靠性隔离双通道栅极驱动IC,可以设计用于驱动高达2MHz开关频率的功率晶体。每个输出可以提供4A的源电流和6A的峰值漏电流,具有25ns的快速传播延迟和5ns的最大延迟匹配。NSI602在5*5mm LGA13封装中提供每UL1577 2500Vrms的隔离,在SOIC-16封装中提供3000Vrms的隔离,在SOIC-16或SOIC-14宽封装中提供5700Vrms的隔离。鲁棒性由150kV/μs典型的共模瞬态免疫(CMTI)支持。驱动器在最大28V的供电电压下工作而输入侧接受2.7V至5V的供电电压。欠压锁定(UVLO)保护由所有电源电压引脚支持。凭借所有这些卓越的功能NSI6602适用于高可靠性、高功率密度和高效开关电源系统。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    NSI6602是一款高可靠性隔离双通道栅极驱动IC,可以设计用于驱动高达2MHz开关频率的功率晶体。每个输出可以提供4A的源电流和6A的峰值漏电流,具有25ns的快速传播延迟和5ns的最大延迟匹配。NSI602在5*5mm LGA13封装中提供每UL1577 2500Vrms的隔离,在SOIC-16封装中提供3000Vrms的隔离,在SOIC-16或SOIC-14宽封装中提供5700Vrms的隔离。鲁棒性由150kV/μs典型的共模瞬态免疫(CMTI)支持。驱动器在最大28V的供电电压下工作而输入侧接受2.7V至5V的供电电压。欠压锁定(UVLO)保护由所有电源电压引脚支持。凭借所有这些卓越的功能NSI6602适用于高可靠性、高功率密度和高效开关电源系统。

    2、产品特性

    隔离双通道驱动器 输入侧供电电压:2.7V至5.5V 驱动侧供电电压:高达25V,源输出为UvLO4A,峰值漏输出为6A 高CMTI:典型值为150kV/μs 典型传播延迟25 最大延迟匹配5ns 最大脉冲宽度失真6ns 可编程死区时间 接受最小输入脉冲宽度20ns 工作温度:-40℃125℃

    LGA13: 按照UL1577SOP16/S0P14(300mil)标准,250Vms持续1分钟; 按照UL1577SOP16(150mil)标准,3000Vms持续1分钟

    DIN VDEV O884-11:2017-01 C5A组件通知 5A COC认证按照4943.1-2011

    服务器、电信和工业中的隔离直流-直流和交流-直流电源 直流-交流太阳能逆变器 电机驱动和电动汽车充电 不间断和电池充电器

    3、应用

    服务器、电信和工业中的隔离式直流-直流和交流-直流电源; 直流-交流太阳能逆变器; 电机驱动和电动汽车充电 不间断电源和电池充电器。


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    NOVOSENSE/(纳芯微)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    NSi6602B-DSWR

    产品封装:

    SOIC-16-300mil

    标准包装:

    1000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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