芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    PIC12F508-I/SN MICROCHIP/(美国微芯) 8/14引脚,8位闪存微控制器

    本数据表中包含的设备: PIC12F508 PIC12F509 PIC1F505高性能RISC CPU: 只需学习33个单字指令 除了程序分支,所有指令都是单周期指令,程序分支是双指令 12位宽指令 2级深的硬件堆栈 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 8位宽数据路径 8个特殊功能硬件寄存器 工作速度:- 直流 – 20 MHz时钟输入(仅PIC16F505)-直流 – 200 ns指令周期(仅PIC16F505)- 直流 – 4 MHz时钟输入- 直流 – 100 ns指令周期

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    本数据表中包含的设备: PIC12F508 PIC12F509 PIC1F505高性能RISC CPU: 只需学习33个单字指令 除了程序分支,所有指令都是单周期指令,程序分支是双指令 12位宽指令 2级深的硬件堆栈 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 8位宽数据路径 8个特殊功能硬件寄存器 工作速度:- 直流 – 20 MHz时钟输入(仅PIC16F505)-直流 – 200 ns指令周期(仅PIC16F505)- 直流 – 4 MHz时钟输入- 直流 – 100 ns指令周期

    微控制器的特殊功能: 4 MHz精密内部振荡器:- 工厂校准至 ±1% 在线串行 (ICSP) 在线调试 (ICD) 支持 电源启动复位 (POR) 设备复位计时器 (DRT) 看门狗计时器 (WDT),带专用片上RC振荡器,确保可靠运行 可编程代码保护 复用MCLR输入脚 I/O引脚上的内部弱上拉 节能睡眠模式 引脚变化唤醒睡眠模式 可选择的振荡器选项:- INTRC4 MHz精密内部振荡器- EXTRC:外部低成本RC振荡器- XT:标准晶体/谐振器- HS:高速晶体/谐振器仅限PIC16F505)- LP:节能,低频晶体- EC:高速外部时钟输入(仅限PIC16F50)

    低功耗特性/CMOS技术: 工作电流:- < 350 µA  2V, MHz 待机电流:- 100 nA  2V,典型 低功耗,高速Flash技术:- 100,00次Flash寿命- > 40年数据保留 完全静态设计 宽工作电压范围:2.0V至5.5V 温度范围:- 工业:-40°C至85°C- 扩展:-40°C至125°C外围特性(P12F508/509):6个I/O引脚:- 5个I/O引脚,每个引脚单独控制- 1个仅输入引脚- 高电流源/漏,直接驱动LED- 改变唤醒- 弱上拉 8位实时时钟/计器(TMR0),具有8位可编程预分频器

    外围特性(PIC16F505): 12个I/O引脚:- 11个I/O脚,每个引脚具有单独的方向控制- 1个输入专用引脚- 高电流吸/源,用于直接驱动LED- 变化唤醒- 弱拉 8位实时时钟/计数器(TMR0),具有8位可编程预分频器


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    MICROCHIP/(美国微芯)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    PIC12F508-I/SN

    产品封装:

    SOIC-8

    标准包装:

    100个/管

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

      通信设备

    • 消费电子

      消费电子

    • 工业控制

      工业控制

    • 智能安防

      智能安防

     


    芯火半导体合作客户芯火半导体Customer

  • 埃斯顿自动化
  • 软通动力信息技术(集团)
  • 德力西电器
  • 东胜物联
  • 武汉衷华脑机科技有限公司
  • 比亚迪
  • 厦门盈瑞丰电子科技有限公司
  • 深圳航盛电子
  • 广州卓问新能源技术有限公司
  •  


    芯火半导体芯火优势芯火半导体Advantage

      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      响应速度快,交付保障

      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

      行业经验-

    • 芯火半导体

      支持第三方检测,品质保证

      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      提供技术支持,按需定制

      经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
     


    芯火半导体芯火团队芯火半导体Core Fire Team

    • 1

      公司团队

    • 2

      团队协作

    • 关于芯火-关于芯火-团队风采-3压缩

      公司团队

    • 芯火团队-公司团队-2

      团队协作


     


    芯火半导体芯火资质芯火半导体 honor

    • AAA级诚信供应商单位

      诚信供应商单位

    • AAA级行业诚信单位

      行业诚信单位

    • AAA级质量、服务诚信单位

      质量、服务诚信单位

    • AAA级重服务守信用单位

      重服务守信用单位

     


    采购:PIC12F508-I/SN MICROCHIP/(美国微芯) 8/14引脚,8位闪存微控制器

    • *联系人:
    • *手机:
    • 公司名称:
    • 邮箱:
    • *采购意向:
    • *验证码:验证码

    跟此产品相关的产品 / Related Products

    STM32H750ZBT6   ST(意法半导体)  高性能 32 位微控制器
    STM32H750ZBT6 ST(意法半导体) 高性能 32 位微控制器
    STM32H750xB系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核,运行频率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元(FPU),支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H750xB系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元(MPU),以增强应用安全性。STM32H750xB系列器件集成了高速嵌入式存储器,包括128 KB的Flash存储器、最高1 MB的RAM(含192 KB的TCM RAM、最高864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM),以及一系列连接至APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AXI互联的增强型I/O接口和外设,该互联支持内部和外部存储器访问。
    STM32H750XBH6   ST(意法半导体)  高性能 32 位微控制器
    STM32H750XBH6 ST(意法半导体) 高性能 32 位微控制器
    STM32H750xB系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核,运行频率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元(FPU),支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H750xB系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元(MPU),以增强应用安全性。STM32H750xB系列器件集成了高速嵌入式存储器,包括128 KB的Flash存储器、最高1 MB的RAM(含192 KB的TCM RAM、最高864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM),以及一系列连接至APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AXI互联的增强型I/O接口和外设,该互联支持内部和外部存储器访问。
    STM32H750IBK6   ST(意法半导体)  32 位双核 RISC-V 高性能微控制器
    STM32H750IBK6 ST(意法半导体) 32 位双核 RISC-V 高性能微控制器
    STM32H750xB系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元(FPU),支持Arm双精度(符合IEE754标准)和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H750xB系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元(MPU),以强应用安全性。STM32H750xB系列器件集成了高速嵌入式存储器,包括128 KB的Flash存储器、最高1的RAM(含192 KB的TCM RAM、最高864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM),以及一系列连接至AB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AXI互联的增强型I/O接口和外设,该互联支持内外部存储器访问。