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    R5F1006AASP#50 RENESAS(瑞萨) 16位微控制器 - MCU

    超低功耗技术。Voo = 1.6 至 5.5 V 的单电源电压。HALT 。STOP 模式。SNOOZE 模式。 RL78 CPU 核心。具有 3 级流水线的 ClSC 架构,最小指令执行时间可以更改为从高速(0.03125 μs: 32 MHz 操作,带高速片上振荡器)到超低速(3.5 μs: 32.768 kHz 操作,带子系统时钟)。 * 地址空间:1 MB。通用寄存器(8 位寄存器 x 8)x 4。DANKS。片上 RAM:2 至 32 KB。代码闪存记忆。闪存记忆:16 至 512 KB。块大小:1 KB。禁止块擦除和重写(安全功能)。片上调试功能自编程(带启动交换功能/闪存屏蔽窗口功能)。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    超低功耗技术。Voo = 1.6 至 5.5 V 的单电源电压。HALT 。STOP 模式。SNOOZE 模式。 RL78 CPU 核心。具有 3 级流水线的 ClSC 架构,最小指令执行时间可以更改为从高速(0.03125 μs:@ 32 MHz 操作,带高速片上振荡器)到超低速(3.5 μs:@ 32.768 kHz 操作,带子系统时钟)。 * 地址空间:1 MB。通用寄存器(8 位寄存器 x 8)x 4。DANKS。片上 RAM:2 至 32 KB。代码闪存记忆。闪存记忆:16 至 512 KB。块大小:1 KB。禁止块擦除和重写(安全功能)。片上调试功能自编程(带启动交换功能/闪存屏蔽窗口功能)。数据闪存记忆。数据闪存记忆:4 KB 至 8 KB。 背景操作(GO):在重写数据闪存记忆时,可以执行来自程序内存的指令。重写次数:1,000,000 次(值)。重写电压:W'oo = 1.8 至 5.5 V。高速片上振荡器。从 32 MHz、2 MHz、16 MHz、12 MHz、8 MHz、6 MHz、4 MHz、3 MHz、2 MHz 和 1 MHz 中选择。高精度: 10%(Voo = 1.8 至 5.5 V。TA = -20 至 85°C)。操作环境温度。TA =.40 至 85°C(A:消费应用,D:工业应用)。T = .40 至 105°CG:工业应用)。电源管理和复位功能。片上电源上电复位(POR)电路。片上电压检测器(LvD)(从14 个级别中选择中断和复位)。

    DMA(直接内存访问)控制器 2/4通道 8/16位特殊功能寄存器(SFR和内部RAM之间传输时的时钟数:2个时钟 乘法器和除法器乘法-累加器16位x 16位= 3位(无符号或带符号) 32位 x 32位 = 32位(无符号) 16位x 16位 x 2位 = 32位(无符号或带符号) 串行接口 .CSl:2至8通道 .UART/UART(LIN线支持):2至4通道2C/简化PC通信:3至10通道 定时器 .16位定时器:8至16通道.12位间隔定时器:1通道 1通道(99年日历报警功能。和时钟校正功能)1通道(可与专用的低片上振荡器一起操作) e 实时时钟。 .看门狗定时器: A/D转换器8/10位分辨率 AvD转换器Voo = 1.6至5.5 V)。模拟输入:6至26通道 e内部参考电压(1.45 V)和温度 Mote t lo端口

    1/0端口:16至120(N-ch开漏1/0[耐压6 V:0至,N-ch开漏1/0[Voo耐压 Noe 2/EVoo耐压 Note 3]:5至25) 可以设置为Nch开漏。TTL输入缓冲区,片上拉上电阻Different potential interface: Can connect to a 1.8/2.5/3V devicee 片上键中断功能 e 片上锁输出/蜂鸣器输出控制器 其他 .片上BCD(二进制编码十进制校正电路 备注 1. 只能在HS(高速主)模式下选择 2. 20至52引脚的产品3. 64128引脚的产品


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    RENESAS瑞萨

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    R5F1006AASP#50

    产品封装:

    LSSOP-20-6.1mm

    标准包装:

    2500个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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      原厂代理直供,一手货源

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