芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    R5F1006AASP#X0 RENESAS(瑞萨) 16位微控制器 - MCU

    超低功耗技术 VDD = 1.6至5.5V的单电源电压 HALT模式 ST模式 SNOOZE模式 RL78 CPU核心 CISC架构,3级流水线 最小指令执行时间:可以更改为 从高速(0.3125 μs: 32 MHz 操作 使用高速片上振荡器)到超低速 (30.5 μs: 2.768 kHz 操作 使用子系统时钟) 地址空间:1 MB 通用寄存器:(8位寄存器×8)× 银行 片上RAM:2至32 KB 代码闪存 代码闪存:16至512 KB 块大小:1 KB 禁止擦除和重写(安全 功能) 片上调试功能 自编程(带有启动交换功能/闪存保护窗口功能) 数据闪存 数据存:4 KB至8 KB 背景操作(BGO):在重写数据闪存时,可以从程序存储器中执行指令。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    超低功耗技术 VDD = 1.6至5.5V的单电源电压 HALT模式 ST模式 SNOOZE模式 RL78 CPU核心 CISC架构,3级流水线 最小指令执行时间:可以更改为 从高速(0.3125 μs:@ 32 MHz 操作 使用高速片上振荡器)到超低速 (30.5 μs:@ 2.768 kHz 操作 使用子系统时钟) 地址空间:1 MB 通用寄存器:(8位寄存器×8)× 银行 片上RAM:2至32 KB 代码闪存 代码闪存:16至512 KB 块大小:1 KB 禁止擦除和重写(安全 功能) 片上调试功能 自编程(带有启动交换功能/闪存保护窗口功能)

    数据闪存 数据存:4 KB至8 KB 背景操作(BGO):在重写数据闪存时,可以从程序存储器中执行指令。 重写次数:1,00,000次(典型值) 重写电压:VDD = 1.8至5.5 V 高速片上振荡器 从2 MHz、24 MHz、16 MHz、12 MHz、8 MHz、 6 MHz、4 MHz、3 MHz、2 MHz和1 MHz中选择 精度: /- 1.0 %(VDD = 1.8至5.5 V,TA = -20至 85°C) 操作温度 TA = -40至 85°C(A:消费应用,D: 工业应用) TA = -40至 105C(G:工业应用) 电源管理和复位功能 片上上电复位(POR)电路 片上电压检测器(LVD)(从4个级别中选择中断和复位) DMA(直接内存访问)控制器 2/4通道 在8/16位SFR和内部RAM传输时的时钟数:2时钟

    乘法器和除法器/乘法累加器 16 位 × 16 位 = 32 (无符号或带符号) 32 位 ÷ 32 位 = 32 位 (无符号) 16 位 × 1 位 32 位 = 32 位 (无符号或带符号)串行接口简化 SPI (CSI 注 1):2至 8 通道 UART/UART (LIN 总线支持):2 至 4 通道 I2C/简化 I2C 通信: 至 10 通道定时器16 位定时器:8 至 16 通道 12 位间隔定时器:1 通道实时:1 通道 (99 年日历,报警功能,和时钟校正功能) 看门狗定时器:1 通道 (可与专用的低片上振荡器一起操作)A/D 转换器 8/10 位分辨率 A/D 转换器 (VDD = 1.6 5.5 V) 模拟输入:6 至 26 通道内部参考电压 (1.45 V) 和温度传感器注 2I/O端口 I/O 端口:16 至 120 (N 沟道开漏 I/O [耐压 6 V]:0 至4, N 沟道开漏 I/O [VDD 耐压注 3/EVDD 耐压注 4]:5 至 5) 可以设置为 N 沟道开漏、TTL 输入缓冲器和片上拉上电阻不同电平接口:可以连接到 1.8/2./3V 设备片上键中断功能片上时钟输出/蜂鸣器输出控制器其他片上 BCD (二进制编码十进制) 校电路


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    RENESAS瑞萨

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    R5F1006AASP#X0

    产品封装:

    LSSOP-20

    标准包装:

    2500/卷

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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