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    W25Q32JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V、32Mbit 串行SPI闪存

    W25Q32JV(32M位)串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件的工作电压为2.7V至3.6V,掉电模式下的耗低至1μA。W25Q32JV阵列由16,384个可编程页组成,每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组(4KB扇区擦除)、128页一组(32KB块擦除)、26页一组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q32JV分别具有1,04个可擦除扇区和64个可擦除块。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W25Q32JV(32M位)串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件的工作电压为2.7V至3.6V,掉电模式下的耗低至1µA。W25Q32JV阵列由16,384个可编程页组成,每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组(4KB扇区擦除)、128页一组(32KB块擦除)、26页一组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。W25Q32JV分别具有1,04个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB的小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。(见图2。)W2Q32JV支持标准串行外设接口(SPI),以及高性能双/四输出以及双/四I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/O3。支持高达133MHz的SPI时钟频率,当使用速读取双/四I/O指令时,可实现相当于266MHz(133MHz x 2)的双I/O时钟速率和532Mz(133MHz x 4)的四I/O时钟速率。这些传输速率可超越标准异步8位和16位并行闪存。此外,该器件持JEDEC标准制造商和器件ID及SFDP寄存器、64位唯一序列号

    2、产品特性

    新型SpiFlash存储器系列 – W25Q32JV:32M位 / 4M字节– SPI:CLK, /CS, DI, DO– 双SPI:CLK, /CS, IO0, IO1,– 四SPI:CLK, /CS, I0, IO1, IO2, IO3– 软件与硬件复位(1)· 性能最高的串行Flash– 133MHz 单/双四SPI时钟– 等效266/532MHz 双/四SPI– 66MB/S 连续数据传输速率– 每扇区最小1万次编程擦除周期– 超过20年的数据保持能力· 高效的“连续读取”– 带8/16/32/64节循环的连续读取– 访问内存仅需8个时钟周期– 支持真正的XIP(原地执行)操作– 性能优于X16并Flash· 低功耗,宽温范围– 单电源2.7V至3.6V– 断电功耗<1µA(典型值)– 作温度范围-40°C至85°C– 工作温度范围-40°C至105°C

    灵活的架构,支持4KB扇区– 统一的扇区/块擦除(4K/32K4K字节)– 每个可编程页可编程1至256字节– 擦除/编程挂起与恢复· 高级安全特性– 软件和硬件保护– 特殊OTP保护(2)– 顶部/底部、互补阵列保护– 单个块/扇区阵列保护– 每个设备具有64位ID– 可发现参数(SFDP)寄存器– 3X256字节安全寄存器– 易失性与非易失性寄存器位· 高效利用空间的封装– 8引脚SOIC/VSOP 150/208密尔– 16脚SOIC 300密尔– 8引脚PDIP 300密尔– 8焊盘WSON 6x5毫米/8x6米– 8焊盘XSON 4x4毫米– 24球TFBGA 8x6毫米(6x4/5x5球阵列)– KGD及其他选项


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       Winbond/华邦

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W25Q32JVSSIQ

    产品封装:

    SOIC-8-208mil

    标准包装:

    2000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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    采购:W25Q32JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V、32Mbit 串行SPI闪存

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