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    W29N01HVSINA Winbond/(华邦) 1Gb、3.3V 闪存 NAND 存储器

    W29N01HV(1G-bit)NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案,具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作,工作电流消耗低至25mA,10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节,并组织为1,024个可擦除块,每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成,每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成(备用区通常用于错误管理功能)。W29N01HV支持标准NAND闪存接口,使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W29N01HV(1G-bit)NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案,具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作,工作电流消耗低至25mA,10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节,并组织为1,024个可擦除块,每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成,每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成(备用区通常用于错误管理功能)。W29N01HV支持标准NAND闪存接口,使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外,该设备两个其他信号引脚,#WP(写保护)和RY/#BY(就绪/忙)用于监控设备状态。

    2、产品特性

    基本特性– 密度:1Gbit(单芯片解决方案)– Vcc:2.7V至3.6V– 线宽度:x8– 工作温度工业级:-40°C至85°C单级单元(SLC)技术。组织结构– 密度:1G-bit/128M-byte– 页面大小2,112字节(2048 6字节)– 块大小 64页(128K 4K字节)最高性能– 读取性能(最大值)随机读取25us顺序读取周期:25ns– 写擦除性能页面编程时间:250us(典型值)块擦时间:2ms(典型值)– 耐久度100,000次擦除/编程周期(1)– 10年数据保留 命令集– 标准NAND命令集– 附加命令支持复制回退最低功耗– 读取:25mA(典型值3V,– 编程/擦除:25mA(典型值3V),– CMOS待机:10uA(典型值)空间高效封装 48针标准TSOP1– 48球VFBGA– 63球VFBGA– 联系Winbond了解堆叠封装/K


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Winbond/(华邦)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W29N01HVSINA

    产品封装:

    TSOPI-48

    标准包装:

    96个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

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