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W29N01HVSINA Winbond/(华邦) 1Gb、3.3V 闪存 NAND 存储器
W29N01HV(1G-bit)NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案,具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作,工作电流消耗低至25mA,10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节,并组织为1,024个可擦除块,每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成,每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成(备用区通常用于错误管理功能)。W29N01HV支持标准NAND闪存接口,使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
W29N01HV(1G-bit)NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案,具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作,工作电流消耗低至25mA,10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节,并组织为1,024个可擦除块,每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成,每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成(备用区通常用于错误管理功能)。W29N01HV支持标准NAND闪存接口,使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外,该设备两个其他信号引脚,#WP(写保护)和RY/#BY(就绪/忙)用于监控设备状态。
2、产品特性
基本特性– 密度:1Gbit(单芯片解决方案)– Vcc:2.7V至3.6V– 线宽度:x8– 工作温度,工业级:-40°C至85°C,单级单元(SLC)技术。组织结构– 密度:1G-bit/128M-byte– 页面大小,2,112字节(2048 6字节)– 块大小, 64页(128K 4K字节),最高性能– 读取性能(最大值),随机读取25us,顺序读取周期:25ns– 写擦除性能,页面编程时间:250us(典型值),块擦时间:2ms(典型值)– 耐久度100,000次擦除/编程周期(1)– 10年数据保留 命令集– 标准NAND命令集– 附加命令支持,复制回退,最低功耗– 读取:25mA(典型值3V,– 编程/擦除:25mA(典型值3V),– CMOS待机:10uA(典型值),空间高效封装 48针标准TSOP1– 48球VFBGA– 63球VFBGA– 联系Winbond了解堆叠封装/K
封装信息
Encapsulation information
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产品品牌: |
Winbond/(华邦) |
产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称: |
W29N01HVSINA |
产品封装: |
TSOPI-48
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标准包装: |
96个/托盘 |
最低起订: |
1片起售 |
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出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户
Customer
芯火优势
Advantage
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原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
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响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
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支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质
honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购:W29N01HVSINA Winbond/(华邦) 1Gb、3.3V 闪存 NAND 存储器
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