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    W958D8NBYA5I Winbond/(华邦) 256Mb HyperRAM存储器

    HyperBus是一种低信号计数的双数据速率(DDR)接口,能够实现高速读写吞吐量。DDR协议DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。HyperBus上的读或写事务由一系列16位宽、一个时钟周期数据传输组成,内部HyperRAM阵列上进行,同时DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期数据传输。所有输入和输出都兼容LV-CMOS命令、地址和数据信息通过八个HyperBus DQ[7:0]信号传输。时钟(CK#,CK)用于HyperBus从设备在接收DQ上的命令、地址或数据时进行信息捕获。命令或地址值与时钟转换中心对齐。每次事务开始于CS#和命令-地址(CA)断言,随后是时钟转换的开始,以传输六个CA字节,然后是初始访问延迟和读或写数据传输,直到CS#被去断言

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    HyperBus是一种低信号计数的双数据速率(DDR)接口,能够实现高速读写吞吐量。DDR协议DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。HyperBus上的读或写事务由一系列16位宽、一个时钟周期数据传输组成,内部HyperRAM阵列上进行,同时DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期数据传输。所有输入和输出都兼容LV-CMOS命令、地址和数据信息通过八个HyperBus DQ[7:0]信号传输。时钟(CK#,CK)用于HyperBus从设备在接收DQ上的命令、地址或数据时进行信息捕获。命令或地址值与时钟转换中心对齐。每次事务开始于CS#和命令-地址(CA)断言,随后是时钟转换的开始,以传输六个CA字节,然后是初始访问延迟和读或写数据传输,直到CS#被去断言

    读写事务需要两个时钟周期来定义目标行地址和突发类型,然后是初始访问延迟tACC。在事务的CA,内存将指示是否在初始延迟中添加所需的刷新时间(tRFH)的额外延迟;通过将RWDS信号驱动到高状态。在CA期间,时钟周期将指定目标行中的目标字地址。在读(或写)事务中,在初始数据值输出(或输入)之后,可以在后续时钟周期中包裹或线性顺序从(或写入到)行中读取(或写入)其他数据。当配置为线性突发模式时,设备将自动从内存阵列中下一个顺序行以支持连续的线性突发。同时访问阵列中的下一行,当读或写数据传输正在进行时,允许进行线性顺序突发操作,可以提供00 MB/s的持续数据速率(1字节(8位数据总线)* 2(数据时钟边沿)* 250 MHz = 00 MB/s)。

    2、产品特性

    接口:HyperBus 电源供应:1.7V-2.0V 最大时钟速率:250MHz 双数据速率(DR)高达500 MB/s 时钟: -单端时钟(CK) -差分时钟(CK/CK#) 芯片选择(Cs) 8位数据总线(DQ[7:0]) 硬件复位(RESET#) 读写数据脉冲(RWDS) -事务开始时输出,以指示刷新延迟 -在读事务期间输出为读数据脉冲 -在写事务期间输入为写数据掩

    可配置的输出驱动强度;节能模式-混合睡眠模式;深度低功耗模式;可配置的突发特性;线性突发;包裹突发:-16字节(8时钟);-32字节(16时钟);-64字节(32时钟);-128字节(4时钟);混合 - 一个包裹突发后跟线性突发;阵列刷新模式;-全阵列刷新;部分阵列刷新;支持封装4球TFBGA;

    工作温度-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Winbond/(华邦)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W958D8NBYA5I

    产品封装:

    TFBGA-24(6x8)

    标准包装:

    480个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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