芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    W9725G6KB-25 ISSI(美国芯成) 高速CMOS动态随机存取存储器

    W9725G6KB是256M位DDR2 SDRAM,组织为4,194,04个字,4个银行,16位。 该设备在一般应用中可实现高达1066Mb/秒/引脚(D2-1066)的高速传输速率。W9725G6KB分为以下速度等级:-18、18I、-2525I、-3和-3I。 -18和18I等级部件符合DDR2-1066(7-7-7)(18I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)。 -25和25I等级符合DDR2-800(5-5-5)或DDR2-800(6-6-6)规范(25I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)。 -3和-3I等级部件符合DDR2-66(5-5-5)规范(-3I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)。 控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W9725G6KB是256M位DDR2 SDRAM,组织为4,194,04个字,4个银行,16位。 该设备在一般应用中可实现高达1066Mb/秒/引脚(D2-1066)的高速传输速率。W9725G6KB分为以下速度等级:-18、18I、-2525I、-3和-3I。 -18和18I等级部件符合DDR2-1066(7-7-7)(18I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)。 -25和25I等级符合DDR2-800(5-5-5)或DDR2-800(6-6-6)规范(25I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)。 -3和-3I等级部件符合DDR2-66(5-5-5)规范(-3I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)。 控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟(CLK上升和CLK下降)的交叉点被锁存。所有IO与单端DQS或差分DQS-DQS对以源同步方式同步。

    2、产品特性

    电源供应:Vop, Vopa = 1.8 V ± 0.1V 双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输 CAS潜伏期:3, 4, 5, 6 和 7 突发长度:4 和 8 双向差分数据采样DaS 和 DOS)与数据一起传输/接收 与读取数据边缘对齐,与写入数据中心对齐 DLL 将 DQ 和 DQS 转换时钟对齐 差分时钟输入(CLK 和 CLK) 写入数据掩码(DM) 在每个正 CLK 边缘输入命令,数据和掩码都参考 DQs 的两个边缘 支持已预充电的 CAS 可编程附加延迟,以提高命令和数据总线的效率 读取延迟 = 延迟 CAS 潜伏期(RL = AL CL) 芯片外驱动器阻抗调整(OCD)和芯片内终止(ODT)以提高信号 自动预充电操作,用于读取和写入突发 自动刷新和自刷新模式 预充电电源关闭和活动电源关闭 写入数据掩码 写入延迟 =读取延迟 - 1(WL = RL - 1) 接口:SSTL 18 采用无铅材料封装在 WBGA 84 球8x12.5 mm?)中,符合 RoHS 标准


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    ISSI(美国芯成)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W9725G6KB-25

    产品封装:

    BGA-84

    标准包装:

    209个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

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      消费电子

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    • 智能安防

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      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

      芯火半导体

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