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    W9812G6KH-6 Winbond/(华邦) 高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)

    W9812G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为2M字,4个银行,16位。W9812G6KH提供高达200M个字每秒的数据带宽。为了完全符合个人行业标准,W9812G6KH分为以下速度等级:-5,-5I,-5J,-6,-6I,-J和-75。-5/-5I等级部件符合200MHz/CL3规格(-5I工业等级,保证支持-40°C TA ≤ 85°C,-5J工业加等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C)。6/-6I等级部件符合166MHz/CL3规格(-6I工业等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 8°C,-6J工业加等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C)。-75等级部件符合13MHz/CL3规格。对SDRAM的访问是突发式的。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W9812G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为2M字4个银行16位。W9812G6KH提供高达200M个字每秒的数据带宽。为了完全符合个人行业标准,W9812G6KH分为以下速度等级:-5,-5I,-5J,-6,-6I,-J和-75。-5/-5I等级部件符合200MHz/CL3规格(-5I工业等级,保证支持-40°C TA ≤ 85°C,-5J工业加等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C)。6/-6I等级部件符合166MHz/CL3规格(-6I工业等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 8°C,-6J工业加等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C)。-75等级部件符合13MHz/CL3规格。对SDRAM的访问是突发式的。当一个银行和行被ACTIVE命令选择时,可以选择以突发长度为1、24、8或整个页面访问一个页面中的连续内存位置。在突发操作中,列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过在每个时钟周期其地址,也可以进行随机列读取。多个银行特性使得内部银行之间可以进行交叉存取,以隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器系统可以改变突发长度、延迟周期、交叉存取或顺序突发,以最大化其性能。W9812G6KH非常适合高性能应用的主内存

    2、产品特性

    3.3V ± 0.3V 电源高达200 MHz 的时钟频率2,097,12 字4 个银行16 位组织自刷新模式CAS 潜伏期:2 和 3突发长度1, 2, 4, 8 和完整页面突发读取,单写模式字节数据由 LDQM、UDQM 控制低模式自动预充电和可控预充电4K 刷新周期/64 mS, -40°C ≤ TA ≤ 8°C 4K 刷新周期/16 mS, -40°C ≤ TA ≤ 105°C接口:LVL采用无铅材料和RoHS兼容的TSOP II 54针,400 mil封装


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Winbond/(华邦)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W9812G6KH-6

    产品封装:

    TSOPII-54-10.2mm

    标准包装:

    108个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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