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GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F2GQ5UEYIGR GD(兆易创新) SPI NOR Flash（非易失性闪存）
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，可替代SPI-NOR和标准并行NAND闪存，并具先进的特性。 总引脚数为8，包括VCC和GND容量2Gb与SPI-NOR相比，具有的写入性能和更低的每比特成本与并行NAND相比，成本显著更低这种低引脚数的NAND闪存遵循行业准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量，其引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) NAND Flash芯片
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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ADuM1201BRZ ADI(亚德诺) 双通道数字隔离器
ADuM1200/ADuM12011是基于Analog Devices, Inc.的iCoupler?技术的双数字隔离器。这些隔离器件结合了高速CMOS技术和单片变压器技术，提供了优于光耦合器等替代方案的卓越性能特性。通过避免使D和光电二极管，iCoupler器件消除了与光耦合器相关的常见设计难题。iCoupler简单的数字接口和稳定的性能特性消除了光耦合器通存在的电流传输比不确定、传输函数非线性以及温度和寿命影响等问题。这些iCoupler产品消除了对外部驱动器和其他分立元件的需求。此，在相当的信号数据速率下，iCoupler器件的功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。更多 +
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DP83822IRHBR TI(德州仪器) 低功耗耐用型10/100Mbps以太网物理层收发器
DP83822 是一款超稳健、低功耗单端口 10/100Mbps 以太网 PHY，是苛刻工业环境的理想之选。它提供通过标准双绞线电缆发送和接收数据或者连接到外部光纤收发器所需的所有物理层功能。此外，DP83822 还可通过标准 MII、RMII 或 RGMII 接口灵活地连接到 MAC。 为了便于使用，DP83822 提供了集成电缆诊断工具、内置自检和环回功能。它能够凭借自身的快速下行链路检测和强制模式下的自动 MDIX 功能支持多条工业现场总线。 DP83822 提供了一种创新型可靠方案来降低功耗，具体将通过 EEE、WoL 和其他可编程节能模式来实现。更多 +
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W25N04KVZEIR FORESEE(江波龙) 3V 4Gb SLC QSPI NAND闪存，具备双/四路SPI缓冲读取
W25N04KV（4G位）SLC QspiNAND闪存为系统提供了在空间、引受限条件下的存储解决方案。W25N QspiNAND系列融合了流行的SPI接口和传统的大型NAND非易失性存储空间。它们非常将代码映射到RAM、直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至36V电源供电，工作电流低至25mA，待机电流10μA，深度掉电模式电流1μA。所有W25N QspiND系列器件均采用节省空间的封装，而这种封装在过去对于典型的NAND闪存是无法使用的。W25N04KV的G位存储阵列由262,144个可编程页组成，每页2,048字节。整个页可以使用2,048字节的部缓冲区数据一次性编程。更多 +
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G Micron(镁光) 2Gb、3.3V、x1/x2/x4接口：SPI NAND闪
串行外设接口（SPI）NAND是一种SLC NAND闪存器件，为必须将引脚数量降至最低的应用提了一种经济高效的非易失性存储解决方案。它也是SPI NOR的替代方案，与SPI NOR相比，它提供了更优的写入性能和更低的每比特本。硬件接口创建了一种引脚数量较少的器件，其标准引脚排列在不同容量之间保持一致，并支持在无需重新设计电路板的情况下升级高容量。串行电气接口遵循行业标准的串行外设接口。为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。命令集类似于常见的SPI-NO令集，经过修改以处理特定于NAND的功能和额外的新特性。新特性包括用户可选的内部ECC和上电时的首页自动加载。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) 1Gbit SPI NAND 3.3V
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引力替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有更优的写性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且一种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F1GM7UEYIGR GD(兆易创新) SPI-NAND闪存
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，相较于SPI-NOR和标准并行NAND闪具有先进特性。总引脚数为8，包括VCC和GND，容量为1Gb，写入性能和每比特成本优于SPI-NO成本显著低于并行NAND这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量的引脚列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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W25Q32JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V、32Mbit 串行SPI闪存
W25Q32JV（32M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件的工作电压为2.7V至3.6V，掉电模式下的耗低至1μA。W25Q32JV阵列由16,384个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32JV分别具有1,04个可擦除扇区和64个可擦除块。更多 +
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W25Q16JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M位）串行闪存为受限于空间、引脚和功耗的系统提存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四线I（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式的功耗低至1μA。W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。次可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、56页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。更多 +
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W25Q16JVSNIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式下的耗低至1μA。 W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。更多 +
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GD5F2GM7UEYIGR GD(兆易创新) 超高性价比且高密度的非易失性存储
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，相较于SPI-NOR和标准并行NAND闪具有先进特性。总引脚数为8，包括VCC和GND，容量为2Gb，写入性能和每比特成本优于SPI-NO成本显著低于并行NAND这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量的引脚列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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KLM8G1GEUF-B04Q SAMSUNG(三星半导体) 存储器IC
先进的移动设备和手机可以使用三星eMMC来扩展计算能力和内容存储。增强型移动设备存储解决方案，提供高密度固态存储器可以集成到系统设计中。由于eMMC的高存储容量，传统存储介质可以被低功耗的固态硬盘（SSD）所取代。包括SSD可以存储密度，降低成本和低功耗。内容存储支持高清视频播放和其他复杂的多媒体功能。计算能力提供启动功能。三星eMMC包含高密度的2和3位MLC NAND，以及一个智能MMC控制器，采用球栅阵列（BGA）封装。更多 +
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K4F8E3S4HD-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 低功耗、高速带宽与小体积平衡
K4F8E3S4HD-MGCL 以8Gb 容量、32bit 位宽、4266Mbps 高速、1.1V 低功耗、200-ball FBGA 小体积为核心优势，是移动终端、车载电子、嵌入式系统等场景的优选内存方案，虽已停产，但在存量替换与替代选型中仍具重要参考价值，兼顾性能、成本与稳定性，适合对内存带宽有一定要求且追求低功耗小体积的设计方案更多 +
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K4AAG165WA-BCWE SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR4 内存方案
K4AAG165WA-BCWE 以16Gb 容量、16bit 位宽、3200Mbps 高速、1.2V 低功耗、96-ball FBGA 小体积为核心优势，是中高端嵌入式、工业控制、消费电子与网络通信的优选内存方案，兼顾性能、成本与稳定性，适合对内存带宽有较高要求且追求小体积低功耗的设计方案更多 +
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SA24403FCA Silergy（矽力杰） 高效率快速响应3.5A 40V输入同步降压调节器
SA24403开发了一种高效率的同步降压DC/DC转换器，能够提供3.5A的负载电流。24403在4.2V至40V的宽输入电压范围内工作，并集成了主开关和同步开关，其RDS(ON)低，以最小化导通损耗。SA24403采用峰值电流控制方案。通过外部电阻，开关频率可以在300kHz至2.2之间调节。该器件还具有超低静态工作特性，在轻负载条件下也能实现高效运行。此外，内部软启动功能限制了上电时的浪涌电流更多 +
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SGM61163XTRI14G/TR SGMICRO(圣邦微) 4.5V至18V输入，6A输出的同步降压转换器
SGM61163是一款高效、6A、同步、降压转换器，具有集成功率MOSFET和宽45V至18V的输入范围。该电流模式控制设备针对高密度应用进行了优化，具有最小的外部组件数量。高开关频率，高达2MHz，以减小解决方案尺寸，通过更小的电感和电容。该设备可以用作独立或跟踪电源。SS/TR引脚可用于控制输出电压启动斜率或作为输入。通过使用使能输入（EN）和开漏电源好输出（PG）信号，可以实现两个或更多电源的电源排序。高侧MOSFET电流在周期内受到过载保护。低侧MOSFET的源电流也受到限制，以防止电流失控。低侧开关还具有一个下拉电流限制，如果通过反向电流过大，则将其关闭。更多 +
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FEMDMW032G-88A19 FORESEE/(江波龙) 车规级 汽车级 汽车级 eMMC
FORESEE eMMC是一种BGA封装的嵌入式存储解决方案。FORESEE eMMC由NAND闪存和eMC控制器组成。控制器可以管理接口协议、磨损均衡、坏块管理和ECC。FORESEE eMMC具有高性能、竞争成本、高质量和低功耗并且eMMC兼容JEDEC标准eMMC 5.1规格。更多 +
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W25Q16JVUXIQ Winbond/(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间和引数量有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/四SPIXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单一2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流消耗低1uA。 W25Q16JV阵列被组织为8,192个可编程页面，每个页面为256字节。一次可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别有512可擦除扇区和32个可擦除块。较小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。更多 +
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