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MP8859GQ-0000-Z MPS(芯源) 高频同步整流降压开关转换器
MP8759是一款高度集成的高频同步整流降压开关转换器。它提供了一种非常紧凑的解决方案，在宽入电压范围内可实现8A的连续输出电流和10A的峰值输出电流，并具有出色的负载和线路调整率。基于MPS专有的开关损耗降低技内部低RDS(ON)功率MOSFET，MP8759在宽输出电流负载范围内实现了高效率。自适应恒定导通时间(COT控制模式提供了快速的瞬态响应，并简化了环路稳定。DC自动调谐环路提供了良好的负载和线路调整率。完整的保护功能包括过流制、过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)和过热关断。该转换器所需的外部元件最少，采用QFN12更多 +
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MP8765GQ-Z MPS(芯源) 高度集成的高频同步整流降压开关模式转换器
MP8765是一款高度集成的高频同步整流降压开关模式转换器。它在宽输入电压范围内提供非常紧解决方案，可实现6A连续输出电流，并具有出色的负载和线路调整率。MP8765在宽输出电流负载范围内具有高效率。恒通时间（COT）控制模式可提供快速的瞬态响应，并简化环路稳定。欠压锁定（UVLO）内部设置为4.6V。开漏源正常信号指示输出处于其标称电压范围内。全面的保护功能包括过流保护（OCP）和过热关断。该转换器所需的外部件最少，采用QFN16（3mmx3mm）封装。更多 +
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MP8759GD-Z MPS(芯源) 高频同步整流降压开关转换器
MP8759是一款高度集成的高频同步整流降压开关转换器。它提供了一种非常紧凑的解决方案，在宽入电压范围内可实现8A的连续输出电流和10A的峰值输出电流，并具有出色的负载和线路调整率。基于MPS专有的开关损耗降低技内部低RDS(ON)功率MOSFET，MP8759在宽输出电流负载范围内实现了高效率。自适应恒定导通时间(COT控制模式提供了快速的瞬态响应，并简化了环路稳定。DC自动调谐环路提供了良好的负载和线路调整率。完整的保护功能包括过流制、过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)和过热关断。该转换器所需的外部元件最少，采用QFN12更多 +
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MP1471AGJ-Z MPS(芯源) 高频、同步整流、降压开关模式转换器
MP1471A是一款高频、同步整流、降压开关模式转换器，内置功率MOSFET。它提供了一种非凑的解决方案，可在宽输入电压范围内实现3A输出电流，并具有出色的负载和线路调整率。MP1471A采用同步工作模式，以在整个输出电流载范围内实现更高的效率。电流模式工作可提供快速的瞬态响应，并简化环路稳定。保护功能包括过流保护和过热关断。1471A所需的外部元件数量极少，且均为易获取的标准元件，采用节省空间的6引脚TSOT23封装。更多 +
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RT8581 Richtek(立锜) 高功率升压转换器
RT8581是一款集成内置功率晶体管、同步整流和低静态电流的升压转换器，为使用先进锂的系统提供紧凑的解决方案。当电池电压降至系统电源IC所需电压以下时，RT8581仍能提供显著的能量。RT8581设计用于从单节锂离子电池提供最低输出电压，即使电池电压低于系统的最低电压要求。RT8581采用WQFN-11L .5x2 (FC)封装。推荐结温范围为-40°C至125°C，环境温度范围为-40°C至85°C。更多 +
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TMC2226-SA TRINAMIC 两相步进电机驱动 IC
TMC2226是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。Trinamic先进的StealthCho斩波技术确保了无噪音运行、最高效率和最佳电机扭矩。其快速的电流调节和可选的SpreadCycle组合，可在添加StallGuard实现无传感器位的同时，实现高度动态的运动。集成的功率MOSFET可处理高达2A RMS的电机电流，并具备保护和诊断功能，确保运行的稳健性和可靠性使用的UART接口开启了调谐和控制选项。可将应用调谐参数存储到OTP内存中。该行业最先进的STEP/DIR步进电机驱动系列将设计升级为无噪音且最精确的运行模式，为用户提供经济高效且极具竞争力的解决方案。更多 +
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ADuM4221CRIZ-RL ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADuM4221CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADUM4221BRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADuM4221ARIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADuM4221-2CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADUM4221-2BRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADuM4221-2ARIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADuM4221-1CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADuM4221-1BRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADUM4221-1ARIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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UCC12050DVE TI(德州仪器) 高密度、低EMI、5kVRMs Reinforced隔离式直流/直流模块
UCC12050是一款具有5kVRMS reinforced隔离额定值的汽车级直流/直流电源模块，旨在为需要偏置电源及稳压输出电压的隔离电路提供有效的隔离电源。该器件集成了具有专有架构的变压器和直流/直流控制器，可提供500mW（典型值）的隔离功率，并具有低EMI。 UCC12050集成了保护功能以增强系统稳健性。该器件还具有使能引脚、同步功能以及5V或3.3V稳压输出选项（带净空电压）。UCC12050是一种薄型、小型化解决方案，采用高度为2.65mm（典型值）的宽体SOIC封装。更多 +
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GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F2GQ5UEYIGR GD(兆易创新) SPI NOR Flash（非易失性闪存）
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，可替代SPI-NOR和标准并行NAND闪存，并具先进的特性。 总引脚数为8，包括VCC和GND容量2Gb与SPI-NOR相比，具有的写入性能和更低的每比特成本与并行NAND相比，成本显著更低这种低引脚数的NAND闪存遵循行业准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量，其引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) NAND Flash芯片
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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