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DS35Q1GA-IB Dosilicon(东芯半导体) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位（含 x8 位冗余容量）的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电，并采用 SPI 接口。内存被划为可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块，每个块由 6页组成，每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内入 2112 字节的页，而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时重复脉，以及内部数据验证和裕度调整。芯片内部实现了 4 位 ECC 逻辑，默认情况下处于启用状态。更多 +
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STM32H750ZBT6 ST(意法半导体) 高性能 32 位微控制器
STM32H750xB系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核，运行频率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元（FPU），支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H750xB系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），以增强应用安全性。STM32H750xB系列器件集成了高速嵌入式存储器，包括128 KB的Flash存储器、最高1 MB的RAM（含192 KB的TCM RAM、最高864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM），以及一系列连接至APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AXI互联的增强型I/O接口和外设，该互联支持内部和外部存储器访问。更多 +
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STM32H750XBH6 ST(意法半导体) 高性能 32 位微控制器
STM32H750xB系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核，运行频率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元（FPU），支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H750xB系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），以增强应用安全性。STM32H750xB系列器件集成了高速嵌入式存储器，包括128 KB的Flash存储器、最高1 MB的RAM（含192 KB的TCM RAM、最高864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM），以及一系列连接至APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AXI互联的增强型I/O接口和外设，该互联支持内部和外部存储器访问。更多 +
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STM32H750IBK6 ST(意法半导体) 32 位双核 RISC-V 高性能微控制器
STM32H750xB系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元（FPU），支持Arm双精度（符合IEE754标准）和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H750xB系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），以强应用安全性。STM32H750xB系列器件集成了高速嵌入式存储器，包括128 KB的Flash存储器、最高1的RAM（含192 KB的TCM RAM、最高864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM），以及一系列连接至AB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AXI互联的增强型I/O接口和外设，该互联支持内外部存储器访问。更多 +
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STM32H743ZGT6 ST(意法半导体) 高性能系列微控制器
STM32H742xI/G和STM32H743xI/G器件基于高性能ArmCotex-M7 32位RISC内核，运行频率最高可达480 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元（FP），支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H742xIG和STM32H743xI/G器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），以增强应用安全性。STM32H742I/G和STM32H743xI/G器件集成了高速嵌入式存储器，包括最高2 M字节的双区Flash存储器、最1 M字节的RAM（含192 K字节TCM RAM、最高864 K字节用户SRAM和4 K字节备份SRAM），以及系列增强型I/O接口和外设，这些外设连接至APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩多层AXI互联，支持内部和外部存储器访问。更多 +
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STM32H743XIH6 ST(意法半导体) 高性能微控制器
STM32H743xI系列器件基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC内核率最高可达400 MHz。Cortex-M7内核集成了浮点运算单元（FPU），支持Arm双精度（符合IEE754标准）和单精度数据处理指令及数据类型。STM32H743xI系列器件支持完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），增强应用安全性。STM32H743xI系列器件集成了高速嵌入式存储器，包括最高2 M字节的双区Flash存器、1 M字节的RAM（含192 K字节的TCM RAM、864 K字节的用户SRAM和4 K字节的备份SRAM，以及一系列丰富的增强型I/O接口和外设，这些外设连接至APB总线、AHB总线、2x32位多AB总线矩阵以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互联。更多 +
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HPM6E80IVM1 HPMICRO(先楫半导体) 32 位双核 RISC-V 高性能微控制器
双核 32 位 RISC-V 处理器– 支持 RV32-IMAFDCPB 指令集– DSP 单元，支持 SIMD 和 DSP 指令– L1 指令缓存和数据缓存各 32KB– 指令本地存储器 ILM 和数据本地存储器 DLM 各 256KB 内置存储器– 共 2080 KB 片上 SRAM，包括通用内存和 CPU 的本地存储器– 4096 位 OTP，128 KB BOOT ROM 实时以太网系统– 千兆以太网交换机，支持 3 个外部和1 个内部端口，支持时间敏感网络TSN– EtherCAT 从站控制器，支持 3 个端口– 千兆以太网控制器– 内置 2 个 100M 以太网 PHY更多 +
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K4Z80325BC-HC16 SAMSUNG(三星半导体) 专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器
GDDR6 SGRAM是一种专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器。DDR6器件包含以下位数：8Gb为8,589,934,592位；12Gb为1,884,901,888位；16Gb为17,179,869,184位；24Gb25,769,803,776位；32Gb为34,359,738,368位。GDDR6 SGRAM的速接口针对与主机控制器的点对点连接进行了优化。所有高速接口信号均提供片上终结（ODT），从而消除了系统中对终结电阻的求。GDDR6采用16n预取架构和DDR接口以实现高速运行。器件架构由两个16位宽的完全独立通道组成。GDDR6分时钟CK_t和CK_c驱动。CK为两个通道共有。命令和地址（CA）在CK的每个上升沿和下降沿进行寄存。更多 +
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K4F8E304HB-MGCJ SAMSUNG(三星半导体) LPDDR4 移动 DRAM 颗粒
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K4F8E304HB-MGCJ，商品编号：C2803257，商品封装：TFBGA-200 包装方式：托盘，商品毛重：1.9克(g)更多 +
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K4F8E3S4HD-GHCL SAMSUNG(三星半导体) LPDDR4 移动内存颗粒
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K4F8E3S4HD-GHCL，商品编号：C2920229，商品封装：FBGA-200 包装方式：编带，商品毛重：0.376克(g)更多 +
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K4E6E304EB-EGCF SAMSUNG(三星半导体) LPDDR3 移动内存颗粒
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K4E6E304EB-EGCF，商品编号：C2803255，商品封装：FBGA-178 包装方式：编带，商品毛重：2.1克(g)更多 +
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K3LKBKB0BM-MGCP SAMSUNG(三星半导体) 高速低功耗 DRAM 芯片
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K3LKBKBOBM-MGCP，商品编号：C45255477，包装方式：编带 商品毛重：1克(g)更多 +
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K3KL9L90CM-MGCT SAMSUNG(三星半导体) LPDDR5X 移动内存颗粒
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K3KL9L90CM-MGCT，商品编号：C50327267，商品封装：BGA-315 包装方式：编带，商品毛重：6.2克(g)更多 +
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K3KL8L80CM-MGCT SAMSUNG(三星半导体) LPDDR5X 移动 DRAM 颗粒（原厂量产，商业级宽温）
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K3KL8L80CM-MGCT，商品编号：C38440497，商品封装：FBGA-315 包装方式：托盘，商品毛重：1克(g)更多 +
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H54G56CYRBX247 SAMSUNG(三星半导体) LPDDR4X 移动 DRAM 颗粒
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：H54G56CYRBX247，商品编号：C29779711，商品封装：BGA-200(10x15) 包装方式：盒装，商品毛重：1克(g)更多 +
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LSM6DSV16XTR ST（意法半导体） 高性能6轴MEMS运动跟踪设备
LSM6DSV16X 是一款高性能、低功耗的 6 轴小型惯性测量单元（IMU），成了 3 轴数字加速度计和 3 轴数字陀螺仪，采用三通道架构，可针对加速度和角速率数据在三个独立通道（用界面、光学防抖和电子防抖）上进行专用配置、处理和滤波，从而提供最佳的 IMU 传感器性能。LSM6DSV16X支持边缘计算处理，利用嵌入式高级专用功能，例如用于可配置运动跟踪的有限状态机（FSM）以及用于情境感知的机器学习核（MLC），并提供可导出的 AI 功能以满足物联网应用需求。更多 +
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LSM6DS3TR-C ST（意法半导体） 中低端手机、便携设备的6 轴惯性测量单元（6DoF IMU）
LSM6DS3TR-C 是一款系统级封装产品，集成了3D数字加速度计和3D数字螺仪，在高性能模式下功耗仅为0.90 mA，并支持始终开启的低功耗功能，为消费者带来卓越的运动体验。LSM6DS3TR-C持主流操作系统要求，提供真实、虚拟和批处理传感器，并配备4 KB动态数据批处理内存。意法半导体（ST）的MEMS传感器模列利用了已用于微机械加工加速度计和陀螺仪生产的成熟且可靠的制造工艺。各种传感元件采用专用微机械加工工艺制造，而IC接口则CMOS技术开发，该技术允许设计专用电路，并进行校准以更好地匹配传感元件的特性。更多 +
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M95M02-DRMN6TP ST/(意法半导体) 2 Mbit串行SPI总线EEPROM
M95M02设备是电可擦可编程存储器（EEPROMs），组织为262144 x8位，通过SPI总线访问。在-40°C / 85°C的环境温度范围内，M95M02-DR可以在1.到5.5 V的供电电压下工作。在-20°C / 85°C的环境温度范围内，M95M02-DF可以在17到5.5 V的供电电压下工作。M95M02设备提供了一个额外的页面，称为标识页面（256字节）。标识页面用来存储敏感的应用参数，这些参数可以（以后）在只读模式下永久锁定。更多 +
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KLMBG2JETD-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 5.1 规格兼容性
嵌入式多媒体卡5.1版兼容。三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.功能特性 - 支持功能：打包命令，缓存，丢弃，清理，断电通知，数据标签，分区类型，上下文ID，实时时钟，动态设备，命令队列，增强型脉冲模式，安全写保护，HS200，HS400，现场固件更新。- 不支持功能：大扇大小（4KB）完全向后兼容以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，多eMMC系统） 数据总线宽度：位（默认），4位和8位 MMC I/F时钟频率：0 ~ 200MHz MMC I/F启动频率：0 ~52MHz 温度：操作（-25C ~ 85C），非操作存储（-40C ~ 85C 电源：接口电源 → VDD(VCCQ)（1.70V ~ 1.95V或2.7V ~ 3.V），内存电源 → VDDF(VCC)（2.7V ~ 3.6V）更多 +
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KLMAG1JETD-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 5.1 规格兼容性
兼容嵌入式多媒体卡5.1版。三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eM5.1功能特性，支持功能：打包命令，缓存，丢弃，清理，断电通知，数据标签，分区类型，上下文ID，实时时钟动态设备容量，命令队列，增强型脉冲模式，安全写保护，HS200，HS400，现场固件更新。不支持：大扇区大小（4KB） ，完全向后兼容以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，多eMMC系统），数据总线宽度：1位（默认），4位和8位，MMC I/F时钟频率：0 ~ 200MHz MMC IF启动频率：0 ~ 52MHz，温度：操作（-25C ~ 85C），无操作存储（-40C ~ 85C），电源：接口电源 → VDD(VCCQ)（1.70V ~ 1.95V2.7V ~ 3.6V），内存电源 → VDDF(VCC)（2.7V ~ 3.6V更多 +
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