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R5F1027AANA#25 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术 Voo= 1.8至5.5V的单电源电压，可在低电压下运行 ALT模式 STOP模式 SNOOZE模式 RL78 CPU核心 CISC架构，3级流水线 最小指令执行时间：可从高速（.04167微秒： 24 MHz操作，高速片上振荡器）变为超低速（1微秒： 1 MHz操作）地址空间：1 MB 通用寄存器：（8位寄存器x 8）x 4个银行 片上RAM：256 B至 KB 代码闪存 代码闪存：2至16 KB 块大小：1 KB 禁止块擦除和重写（安全功能） 片上功能 自编程（带闪存屏蔽窗口功能） 数据闪存记忆 注意2 .数据闪存：2 KB 后台操作（BGO）：重写数据闪存时从程序存储器中执行指令。更多 +
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R5F1026AASP#55 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术：Voo = 单个电源电压，范围为 0 至 5.5V，可以在低电压下运行 HALT 模式 STOP模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU核心：具有3级流水线的ClSC架构 最小指令执行时间：可以改变 从高速（0.04167微秒： 4 MHz操作，高速片上振荡器）到超低速（1微秒： 1 MHz操作） 地址空间：1 MB 通用寄存器（8位寄存器x 8）x 4个银行 片上RAM：256 B到2 KB 代码闪存记忆：代码闪存：2至16KB 块大小：1KB 禁止块擦除和重写（安全功能） 片上调试功能 编程（带闪存屏蔽窗口功能） 数据闪存记忆注：数据闪存内存：2KB 背景操作（BGO）：指令在重写数据闪存内存时从程序内存中执行。更多 +
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R5F1006AASP#50 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术。Voo = 1.6 至 5.5 V 的单电源电压。HALT 。STOP 模式。SNOOZE 模式。 RL78 CPU 核心。具有 3 级流水线的 ClSC 架构，最小指令执行时间可以更改为从高速（0.03125 μs： 32 MHz 操作，带高速片上振荡器）到超低速（3.5 μs： 32.768 kHz 操作，带子系统时钟）。 * 地址空间：1 MB。通用寄存器(8 位寄存器 x 8)x 4。DANKS。片上 RAM：2 至 32 KB。代码闪存记忆。闪存记忆：16 至 512 KB。块大小：1 KB。禁止块擦除和重写（安全功能）。片上调试功能自编程（带启动交换功能/闪存屏蔽窗口功能）。更多 +
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R5F100BEANA#40 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术。Voo = 1.6 至 5.5 V 单电源电压 e HALT模式 .STOP 模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU 核心 ClSC 架构，3 级流水线 e 最小指令时间：可以更改为从高速（0.03125 us： 32 MHz 操作，高速片上振荡器）到超低速（3.5 us： 32.768 kHz 操作，子系统时钟） 。地址空间：1 MB 通用寄存器：(8 寄存器 x 8) x 4 银行 .片上 D RAM：2 至 32 KB 代码闪存存储器 代码闪存存储器16 至 512 KB .块大小：1 KB 禁止块擦除和重写（安全功能） .片上调试功能 自（带有启动交换功能的闪存保护窗口功能） 数据闪存存储器。数据闪存存储器：4 KB 至 8 KB 背景操作（BGO）：重写数据闪存存储器时，可以从程序存储器中执行指令。更多 +
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R5F100BCANA#40 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
超低功耗技术。Vop = 1.6 至 5.5 V 的单电源电压。HALT 。STOP 模式 SNOOZE 模式 RL78 CPU 核心 具有 3 级流水线的 CiSC 架构。最小指令执行时间可以更改为从高速（0.03125 us： 32 MHz 操作，带高速片上振荡器）到超低速（305 us： 32.768 kHz 操作，带子系统时钟） .地址空间：1 MB。通用寄存器：(8 寄存器 x 8)x 4 银行 .片上 RAM：2 至 32 KB 代码闪存内存。代码闪存内存：6 至 512 KB。更多 +
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R5F10BBGLNA#W5 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
最小指令执行时间可以从高速（0.03125微秒： 32 MHz 操作，使用高速上振荡器时钟或PLL时钟）到超低速（66.6微秒： 15 kHz 操作，使用低速片上振荡器） 通用寄存器：8位x32个寄存器（8位x8个寄存器x4个银行） ROM：16KB256KB RAM：1KB至20KB 数据闪存：4KB8KB 高速片上振荡器时钟可从32 MHz（典型值、24 MHz（典型值）、16 MHz（典型值）、12 MHz（典型值）、8 MHz（典型值）、4 MHz（典型）和1MHz（典型值）中选择（当使用定时器RD时，可从64 MHz（典型值）和48 MHz（典型值）中）低速片上振荡器时钟：15 kHz x 2通道更多 +
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R5F10AGFCKFB#55 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
最小指令执行时间可以从高速（0.03125微秒：32 MHz 操作，使用片上振荡器时钟或PLL时钟）变为超低速（66.6微秒：15 kHz 操作，使用低速片上振荡时钟） 通用寄存器：8位x32个寄存器（8位x8个寄存器x4个银行） ROM：16至256KB RAM：1KB至20KB 数据闪存：4KB/8KB 高速片上振荡器时钟 可选32 MHz（值）、24 MHz（典型值）、16 MHz（典型值）、12 MHz（典型值）、8 MHz（典型值）、4 MHz典型值）。更多 +
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PIC18F24K20-I/SO MICROCHIP(美国微芯) PIC 微控制器
该系列提供了所有PIC18微控制器的优势-即，在经济的价位上具有高计算-以及高耐久性的Flash程序内存。除了这些特性之外，PIC18F2XK20/4XK20系列还引入了设计，这些增强使得这些微控制器成为许多高性能、功耗敏感应用的合理选择。更多 +
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PIC16F1825-I/ML MICROCHIP(美国微芯) 14/20-引脚闪速微控制器，支持XLP技术
高性能RISC CPU：只需学习49条指令：- 所有单周期指令，除了分支操作。操作速度： 直流-32 MHz 振荡器时钟直流-125 ns 指令周期最多16 k字节线性程序存储器寻址最多1024字节线性数据存储器寻址具有自动上下文保存的中功能16级深的硬件堆栈，可选的溢出/下溢复位直接、间接和相对寻址模式：- 两个完整的16位文件选择存器（FSRs）。FSRs可以读取程序和数据存储器 柔性振荡器结构：精度32MHz内部振荡器模块：出厂校准为±1%，典型值；软件可选择的频率范围为31 kHz至3 MHz；31 kHz低功耗内部振荡器；四个晶体模式，最高32 MHz；三个外部时钟模式，最高32 MHz；更多 +
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PIC16F819T-I/SS MICROCHIP(美国微芯) 8位微控制器
PIC16F818/819属于PIC设备的中端。这些设备在Flash程序存储器、数据存储器和数据EEPROM的数量上有所不同（见表1-1）。设备的框图如图1-1所示。设备包含PIC16产品线中新的功能： 内部RC振荡器，具有8个可选择的频率，包括31.25 kHz、15 kHz、250 kHz、500 kHz、1 MHz、2 MHz、4 MHz和8 MHz。INTRC可以通过配置位配置为系统时钟。有关信息，请参见第4.5节“内部振荡器模块”和第12.1节“配置位”。 Timer1模块的电流已从20 ?A（以前的PIC16设备）大幅减少到典型1.8 A（在2V时为32 kHz），适合实时时钟应用。更多 +
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PD70201ILQ MICROCHIP(美国微芯) 14/20-引脚闪速微控制器，支持XLP技术
PD70101和PD70201设备是IEEE 802.3af和IEEE 802.3at应用中使用的DC-DC变换器的集成电源设备(PD)接口和PWM控制器。PD70101设备可用于IEEE802.3af或IEEE 802.3at类型1应用，而PD70201设备也可用于IEEE 802.3at2应用。 一个PD70201设备可用于消耗高达47.7 W的4对应用。 这些设备具有许多旨在提高效率和可靠性的： 检测和分类：前端接口包括检测和分类电路。检测签名电阻在检测阶段完成后断开连接。然后系统开始分类阶段。分类可以通过外部配置为0至4类。PD70201包含一个双事件分类识别电路，用于生成一个标志，以通知PD应用电源源设备(PSE是类型1还是类型2。更多 +
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ATTINY814-SSN MICROCHIP(美国微芯) 微控制器
ATtiny214/414/814微控制器采用高性能低功耗AVR RISC架构，能够在高达20MHz的下运行，具有高达2/4/8KB的Flash、128/256/512字节的SRAM和64/128字EEPROM，采用14针封装。该系列采用最新的技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和睡眠行走，精确的模拟功能和先进的外围。集成QTouch外围触摸控制器支持带驱动屏蔽的电容式触摸接口。更多 +
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ATSAM3U4CA-CU MICROCHIP(美国微芯) PIC 微控制器
Atmel | SMART SAM3U系列是高性能32位ARM Cortex-M3 RISC处理器的Flash微控制器的家族成员。它以最高96 MHz的速度运行，并配备了高达256 Kbytes的Flash和高达52 Kbytes的SR。外围设备集包括一个带有嵌入式收发器的USB高速设备端口、一个用于SDIO/SD/MMC的高速MCI、一个具有NAND Flash器的外部总线接口、多达4个USART、多达2个TWI、多达5个SPI以及4个PWM计时器、一个三通道16位定时器、一个低功耗RTC、一个12位ADC和一个10位ADC。 SAM3U设备具有三种软件可选择的低功耗模式：睡眠模式等待模式和备份模式。在睡眠模式下，处理器停止运行，而所有其他功能都可以继续运行。更多 +
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VN5E160MSTR-E ST(意法半导体) 栅极驱动器
VN5E160MS-E是一款采用ST专有VIPower M0-5技术制造的单通道高侧器，采用超小的SO-8封装。VN5E160MS-E专为驱动12V汽车接地负载而设计，提供保护、诊断与任何微控制器的3V和5V CMOS兼容接口。 该设备集成了先进的保护功能，如负载电流限制、通过功率限制进行浪涌和载主动管理、过热自动关断和过压主动钳位。 每个输出通道都配备了一个专用的模拟电流感应引脚，以提供增强的诊断，包括通过功率限制指示和过热指示快速检测过载和接地短路。 通过将CS_DIS引脚拉高，可以禁用整个设备的电流和诊断反馈，从而允许与其他类似设备共享外部感应电阻。更多 +
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STM32L412RBT6 ST(意法半导体) ARM微控制器
超低功耗，支持FlexPowerControl 1.71 V至3.6 V电源 -40 °C至8/125 °C温度范围 300 nA在VBAr模式下：为RTC和32x32位备份寄存器供电 1 nA关机模式（4个唤醒引脚） 32 nA待机模式（4个唤醒引脚） 245 nA带RTC待机模式 0.7 yA Stop 2模式，0.95 μA带RTC 79 μA/MHz运行模式（LDo模式 28 μA/MHz运行模式（3.3 V SMPS模式） 批量获取模式（BAM） 从Stop模式唤醒4us 欠压位（BOR） 互联矩阵 核心：Arm 32位Cortex-M4 CPU，带FPU。自适应实时加速器（ARTelerator）允许从Flash内存无等待状态执行，频率高达80 MHz。更多 +
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SAF1760BE/V1 NXP(恩智浦) ARM微控制器
它集成了一个增强型主机控制器接口（EHCI）、一个事务转换器（TT）和三个收发器，能够处理所有高速 USB 传输速度模式，包括高速（480Mbit/s）、全速（12Mbit/s）和低速（1.5Mbit/s）。通过通用处理器接口，可将其连接到各种处理器，作为内存映射资源更多 +
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MPC852TVR50A NXP(恩智浦) ARM微控制器
高精度：能为电子设备提供稳定、准确的时钟信号，确保系统的精确运行。 高稳定性：在不同的环境条件下，如温度、电压变化时，仍可保持较好的频率稳定性，减少信号抖动和误差。 低功耗：符合现代电子设备对节能的要求，有助于延长设备的电池续航时间或降低整体功耗。 小型化：表面贴装封装形式使其体积小巧，适合应用于空间紧凑的电路板设计，有利于电子设备的小型化和轻薄化。更多 +
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LPC54S018J2MET180 NXP(恩智浦) ARM微控制器
LPC54018JxM/LPC54S018JxM系列是用于嵌入式基于ARM Cortex-M4的微控制器，具有丰富的接口和非常低的功耗，以及增强的调试功能。 ARM Cortex-M4是一个32位，提供系统增强功能，如低功耗、增强的调试功能和高水平的集成块支持。ARM Cortex-M4 CPU包含一个3级流水线，使用一个架构，具有单独的本地指令和数据总线以及第三个用于外设的总线，并包含一个支持推测分支的内置预取单元。ARM Cortex-M支持单周期数字信号处理和SIMD指令。核心中集成了硬件浮点处理器。更多 +
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VND5E160ASOTR-E ST/意法半导体 栅极驱动器
VND5E160ASO-E 是一款单通道高边驱动器，采用 ST 专有的 VIPower0-5 技术制造，并采用 SO-16L 封装。该设备旨在驱动 12 V 汽车接地负载，并提供保护和诊断。它还实现了 3 V 和 5 V CMOS 兼容接口，可与任何微控制器一起使用。该设备集成了先进的保护功能，负载电流限制、浪涌和过载主动管理、过热关断和自动重启以及过压主动箝位。每个输出通道都有一个专用的电流检测引脚，提供增强的诊断功能，包括通过功率限制指示快速检测过载和短路到地、过热指示、短路到CC 诊断以及导通和关断状态下的开路检测。整个设备的电流检测和诊断反馈可以通过将 CS_DIS 引脚拉高来禁，以与类似设备共享外部检测电阻。更多 +
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STM32F103RCT6 ST/意法半导体 ARM微控制器 - MCU
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE系列家族 集成了高性能的Arm Cortex-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入存储器（Flash存储器最大512 Kbytes和SRAM最大64 Kbytes），以及广泛的增强型I/O和外设，连接到两个B总线。所有设备都提供三个12位ADC，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口最多两个I2C，三个SPI，两个I2S，一个SDIO，五个USART，一个USB和一个CAN。 STM32F10xC/D/E高性能系列家族的工作温度范围为-40至105°C，工作电压为2.0至3.6 V。更多 +
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