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DS35Q1GA-IB Dosilicon(东芯半导体) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位（含 x8 位冗余容量）的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电，并采用 SPI 接口。内存被划为可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块，每个块由 6页组成，每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内入 2112 字节的页，而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时重复脉，以及内部数据验证和裕度调整。芯片内部实现了 4 位 ECC 逻辑，默认情况下处于启用状态。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) NAND Flash芯片
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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DS35M1GA-IB Dosilicon(东芯) NAND Flash芯片
DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位（含 4Mx8 位冗余容量）的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电，并采用 SPI 接口。内存被划分为可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块，每个块由 64 页组成，每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内写入 2112 字节的页，而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数据可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时重复脉冲，以及内部数据验证和裕度调整。更多 +
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MT65B18G16120A00QH-92：A Micron(镁光) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片，面向生成式
采用CoWoS和SiP的先进封装支持 性价比优于市场上的竞品HBM，具备：- 50%更高的容量- 50%更高的带宽- 每瓦性能提升2.5倍更多 +
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MT65B12G16080A00QG-92：A Micron(镁光) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片，面向生成式
采用CoWoS和SiP的先进封装支持 性价比优于市场上的竞品HBM，具备：- 50%更高的容量- 50%更高的带宽- 每瓦性能提升2.5倍更多 +
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MT65B12G16080A00QG-60：A Micron(镁光) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片，面向生成式
采用CoWoS和SiP的先进封装支持 性价比优于市场上的竞品HBM，具备：- 50%更高的容量- 50%更高的带宽- 每瓦性能提升2.5倍更多 +
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H5UGVHAF63X043R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
类型：HBM3E（第三代增强型高带宽内存），容量：单颗 24Gb（3GB），位宽 / 带宽：288Gb 位宽，单颗 9.2Gbps/pin 数据速率，堆叠：12 层堆叠（12Hi），状态：工程样片 / 定制阶段（CS），超高速：单颗 9.2Gbps/pin，总带宽可达 2.65TB/s 高密度：12 层堆叠，单颗 24Gb，大幅提升单位面积容量，低功耗：HBM 架构 + 先进工艺，能效比显著优于传统 GDDR/DDR 高可靠：支持 ECC 纠错，适合企业级与 AI 训练场景，先进封装：采用 TSV（硅通孔） 垂直互连，信号延迟低、干扰小更多 +
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H5UGVHAF03X043R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
类型：HBM3E（第三代增强型高带宽内存），容量：单颗 16Gb（2GB），位宽 / 带宽：288Gb 位宽，单颗 9.6Gbps/pin 数据速率，堆叠：8 层堆叠（8Hi），状态：量产（MP），超高速：单颗 9.6Gbps/pin，总带宽可达 1.23TB/S，高密度：8 层堆叠，单颗 16Gb，单位面积容量高，低功耗：HBM 架构 + MR MUF 封装，能效比提升约 10%，高可靠：支持 ECC 纠错，适合企业级与 AI 训练场景，先进封装：TSV（硅通孔） 垂直互连 + MR，MUF 工艺，散热性能提升 10%更多 +
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H5UGJHME23X022R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3E(第三代增强型高带宽内存)，容量:单颗 24Gb(3GB)，速率/位宽:9.6Gbps/pin，288Gb 位宽，堆叠:12 层堆叠(12Hi)，状态:量产(MP)，核心特性，超高带宽:单颗带宽 1.23TB/s，满足大模型训练/推理需求，高密度:12 层堆叠，单位面积容量领先，适配 GPU/AI加速器，低功耗高效:MR-MUF 封装，能效比提升约10%，高可靠:支持 ECC 纠错，满足企业级稳定性要求 先进工艺:TSV 垂直互连+MR-MUF，散热性能提升 10%更多 +
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H5UGJHMD83X022R HYNIX(海力士) HBM3E 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3E(第三代增强型高带宽内存)，容量:单颗24Gb(3GB)，速率/位宽:9.6Gbps/pin,288Gb位宽 堆叠:8层堆叠(8Hi)，状态:量产(MP)，超高带宽:单颗带宽1.23TB/s，满足大模型训练/推理需求SK hynix高密度:8层堆叠，单位面积容量领先，适配GPU/AI加速器低功耗高效:MR-MUF封装，能效比提升约10% sKhynix高可靠:支持ECC纠错，满足企业级稳定性要求，先进工艺:TSV垂直互连+MR-MUF，散热性能提升10%更多 +
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H5UGJHAF03X041R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗24Gb(3GB)，速率/位宽:8.0Gbps/pin,288Gb位宽，堆叠:12层堆叠(12Hi) 状态:量产(MP)，高带宽:单颗8.0Gbps/pin，总带宽可达2.30TB/s高密度:12层堆叠，单颗24Gb，单位面积容量领先低功耗:HBM架构+TSV垂直互连，能效比优于GDDR/DDR高可靠:支持ECC纠错，满足企业级与AI训练稳定性要求先进工艺:TSV硅通孔+先进封装，信号延迟低、抗干扰强更多 +
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H5UG7HME23X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗256Gb(32GB)，速率/位宽:6.0Gbps/pin,288Gb位宽，堆叠:12层堆叠(12Hi) 状态:量产(MP)，超高带宽:单颗总带宽约768GB/s，满足大模型训练/推理的高吞吐需求，超高密度:12层堆叠，单颗32GB，单位面积容量领先，适配高端AI加速器，低功耗高效:HBM架构+TSV垂直互连，能效比显著优于GDDR/DDR，高可靠:支持片上ECC纠错，保障企业级7x24小时稳定运行，先进工艺:TSV硅通孔+MR-MUF封装，散热性能优异，适配高算力场景更多 +
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H5UG7HME03X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗 128Gb(16GB)，速率/位宽:6.0Gbps/pin，288Gb 位宽，堆叠:8层堆叠(8Hi) 状态:量产(MP)，高带宽:单颗带宽约 768GB/s，满足 AI与 HPC 算力需求，高密度:8 层堆叠，单颗16GB，单位面积容量领先 低功耗高效:HBM 架构 +TSV 垂直互连，能效比优于 GDDR/DDR，高可靠:支持 片上 ECC 纠错，保障企业级稳定性 先进工艺:TSV 硅通孔+MR-MUF 封装，散热性能优异更多 +
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H5UG7HMD83X020R HYNIX(海力士) HBM3 高带宽内存（HBM） 芯片
类型:HBM3(第三代高带宽内存)，容量:单颗 128Gb(16GB)，速率/位宽:5.6Gbps/pin，288Gb 位宽，堆叠:8 层堆叠(8Hi) 状态:量产(MP)，高带宽:单颗总带宽约 716.8GB/s，满足 A1 与 HPC 算力需求，高密度:8 层堆叠，单颗 16GB，单位面积容量领先 低功耗高效:HBM 架构 +TSV 垂直互连，能效比优于 GDDR/DDR，高可靠:支持 片上 ECC 纠错，保障企业级稳定性 先进工艺:TSV 硅通孔+MR-MUF 封装，散热性能优异更多 +
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K3LKBKB0BM-MGCP SAMSUNG(三星半导体) 高速低功耗 DRAM 芯片
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K3LKBKBOBM-MGCP，商品编号：C45255477，包装方式：编带 商品毛重：1克(g)更多 +
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F35SQA001G-WWT FORESEE(江波龙) 是一款 1G 位（128Mx8 位）串行 NAND 存，工作电压为单
F35SQA001G 是一款 1G 位（128Mx8 位）串行 NAND 存，工作电压为单 3.3V VCC。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四线 SPI：串行时钟、选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#）。支持最高达 104 z 的 SPI 时钟频率。F35SQA001G 支持 JEDEC 标准的制造商和器件 ID、唯一 ID、一个参数和 62 个 OTP 页。芯片内部集成了 1 位 ECC 逻辑，默认启用。内部 ECC 可通过命令禁用或启用。更多 +
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W25Q32JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V、32Mbit 串行SPI闪存
W25Q32JV（32M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件的工作电压为2.7V至3.6V，掉电模式下的耗低至1μA。W25Q32JV阵列由16,384个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32JV分别具有1,04个可擦除扇区和64个可擦除块。更多 +
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W25Q16JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M位）串行闪存为受限于空间、引脚和功耗的系统提存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四线I（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式的功耗低至1μA。W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。次可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、56页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。更多 +
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W25Q16JVSNIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式下的耗低至1μA。 W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。更多 +
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BMI088 BOSCH/(博世） IMU-惯性测量单元
BMI088是一款用于检测6自由度(6DoF)运动和旋转的惯性测量单元(IM)。它将两个惯性传感器的功能结合到一个设备中：一个先进的16位三轴陀螺仪和一个多功能、尖端的16位三轴加计。BMI088旨在满足恶劣振动环境中高性能消费应用的所有要求，如无人机和机器人应用中遇到的振动环境。IMU设计用于有效抑制由于PC或整个系统结构上的共振偶尔产生的几百赫兹以上的振动。传感器具有扩展的测量范围，高达±24g，以避免在强信号暴露下信号截。评估电路(ASIC)将微机电系统(MEMS)传感结构的输出转换为BOSCH设施中开发、生产和测试的输出。相应的芯片组被在一个单一的LGA 3.0mm x 4.5mm x 0.95mm外壳中。更多 +
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