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TLE94112EL Infineon(英飞凌) 十二通道半桥功率输出驱动芯片
TLE94112EL 是一款受保护的十二通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如暖通（HVAC）风门直流电机控制）设计。它是更大产品系列的一部分，该系列提供从三通道到十二通道的半桥驱动器，支持直接接口或PI 接口。这些半桥驱动器设计用于驱动直流电机负载，支持串行或并行操作。正向（顺时针）、反向（逆）、制动和高阻态工作模式由 16 位 SPI 接口控制。它具备诊断功能，如短路、开路负载、电源故障和过检测。结合其低静态电流，该器件在汽车应用中极具吸引力。小型细间距外露焊盘封装 PG-SSOP-24 具备良好的散热性能，并减少 PCB 占板面积和成本。更多 +
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MIE1W0505BGLVH-3R-Z MPS(芯源) 隔离式、稳压的 DC-DC 模块
MIE1W0505BGLVH 是一款隔离式、稳压的 DC-DC 模块。它支持 3至 5.5V 的输入电压应用。MIE1W0505BGLVH 具有优异的负载调整率和线性调整率，支持达 1W 的输出功率。MIE1W0505BGLVH 将功率 MOS 管、变压器和反馈电路集成在一颗芯片中，实现了优性能并节省了空间。当输出电压（Vout）下降并低于目标电压时，MIE1W0505BGLVH 的 IC 开始将功率从输入电压（Vin）传输到输出电压（Vout），直到输出电压再次达到目标值。MIE1W0505BGLVH 了输出电压反馈模块，无需传统的光耦和 TL431 即可调节输出电压。与传统的隔离电源模块相比，该模块具有更小的尺寸和高的可靠性。更多 +
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ESP32-S3-WROOM-1-N16R8 ESPRESSIF(乐鑫) 不带固件 通用型Wi-Fi+低功耗蓝牙MCU模组
ESP32-S3-WROOM-1 和 ESP32-S3-WROOM-1U 是两款通用型 Wi-Fi + 低功耗蓝牙 MCU 模组，搭载 ESP32-S3系列芯片。除具有丰富的外设接口外，模组还拥有强大的神经网络运算能力和信号处理能力，适用于 AIoT 领域 的多种应用场景，例如唤醒词检测和语音命令识别、人脸检测和识别、智能家居、智能家电、智能控制面板、智能扬声器等。ESP32-S3-WROOM-1 采用 PCB 板载天线，ESP32-S3-WROOM-1U 采用连接器连接外部天线。两款模组均有多种型号可供选择，具体见表 1。更多 +
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ESP32-S3-WROOM-1-N8R2 ESPRESSIF(乐鑫) 不带固件 通用型Wi-Fi+低功耗蓝牙MCU模组
ESP32-S3-WROOM-1 和 ESP32-S3-WROOM-1U 是两款通用型 Wi-Fi + 低功耗蓝牙 MCU 模组，搭载 ESP32-S3系列芯片。除具有丰富的外设接口外，模组还拥有强大的神经网络运算能力和信号处理能力，适用于 AIoT 领域的多种应用场景，例如唤醒词检测和语音命令识别、人脸检测和识别、智能家居、智能家电、智能控制面板、智能扬声器等。ESP32-S3-WROOM-1 采用 PCB 板载天线，ESP32-S3-WROOM-1U 采用连接器连接外部天线。两款模组均有多种型号可供选择，具体见表 1 和 2。更多 +
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BHI360 Bosch(博世) 可编程、低功耗惯性测量单元，集成传感器融合库
BHI360属于高度集成、超低功耗可编程智能传感器系统BHI系列。BHI36集成了基于32位ARC EM4浮点RISC处理器的Fuser2处理器、集成的惯性测量单元（6自由度IMU）以及专为信据处理设计的强大事件驱动软件框架，并预装了传感器融合及其他传感器数据处理算法。BHI360提供两个具有I2C和/或SP能的高速辅助主接口，以及最多8个可灵活配置的GPIO（例如芯片选择或中断线）。因此，BHI360可用作“传感器集线器，连接外部传感器和设备，如磁场传感器、压力传感器等。集成MEMS IMU和外部传感器的所有传感器数据均可由集成的Fuser2高效地集成、同步和处理。更多 +
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DS35Q1GA-IB Dosilicon(东芯半导体) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位（含 x8 位冗余容量）的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电，并采用 SPI 接口。内存被划为可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块，每个块由 6页组成，每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内入 2112 字节的页，而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时重复脉，以及内部数据验证和裕度调整。芯片内部实现了 4 位 ECC 逻辑，默认情况下处于启用状态。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) NAND Flash芯片
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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DS35M1GA-IB Dosilicon(东芯) NAND Flash芯片
DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位（含 4Mx8 位冗余容量）的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电，并采用 SPI 接口。内存被划分为可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块，每个块由 64 页组成，每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内写入 2112 字节的页，而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数据可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时重复脉冲，以及内部数据验证和裕度调整。更多 +
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K3LKBKB0BM-MGCP SAMSUNG(三星半导体) 高速低功耗 DRAM 芯片
品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K3LKBKBOBM-MGCP，商品编号：C45255477，包装方式：编带 商品毛重：1克(g)更多 +
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F35SQA001G-WWT FORESEE(江波龙) 是一款 1G 位（128Mx8 位）串行 NAND 存，工作电压为单
F35SQA001G 是一款 1G 位（128Mx8 位）串行 NAND 存，工作电压为单 3.3V VCC。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四线 SPI：串行时钟、选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#）。支持最高达 104 z 的 SPI 时钟频率。F35SQA001G 支持 JEDEC 标准的制造商和器件 ID、唯一 ID、一个参数和 62 个 OTP 页。芯片内部集成了 1 位 ECC 逻辑，默认启用。内部 ECC 可通过命令禁用或启用。更多 +
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W25Q32JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V、32Mbit 串行SPI闪存
W25Q32JV（32M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件的工作电压为2.7V至3.6V，掉电模式下的耗低至1μA。W25Q32JV阵列由16,384个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32JV分别具有1,04个可擦除扇区和64个可擦除块。更多 +
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W25Q16JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M位）串行闪存为受限于空间、引脚和功耗的系统提存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四线I（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式的功耗低至1μA。W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。次可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、56页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。更多 +
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W25Q16JVSNIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式下的耗低至1μA。 W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。更多 +
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BMI088 BOSCH/(博世） IMU-惯性测量单元
BMI088是一款用于检测6自由度(6DoF)运动和旋转的惯性测量单元(IM)。它将两个惯性传感器的功能结合到一个设备中：一个先进的16位三轴陀螺仪和一个多功能、尖端的16位三轴加计。BMI088旨在满足恶劣振动环境中高性能消费应用的所有要求，如无人机和机器人应用中遇到的振动环境。IMU设计用于有效抑制由于PC或整个系统结构上的共振偶尔产生的几百赫兹以上的振动。传感器具有扩展的测量范围，高达±24g，以避免在强信号暴露下信号截。评估电路(ASIC)将微机电系统(MEMS)传感结构的输出转换为BOSCH设施中开发、生产和测试的输出。相应的芯片组被在一个单一的LGA 3.0mm x 4.5mm x 0.95mm外壳中。更多 +
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K4UBE3D4AB-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器
双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输，双向数据采样（DQS_t，DQS_c）这些与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据，差分时钟输入（CK_t和CK_c），差分数据（DQS_t和DQS_c），命令和地址在正CK边缘输入；数据和数据掩码相对于DQS的两个边缘进行引用，芯片2通道组成，每个通道8个内部银行，DMI引脚：DBI（数据总线反转）在正常写入和读取操作时，当D关闭时，数据掩码（DM）用于屏蔽写入 - 当DBI打开时，屏蔽写入的DQ数量为1，突发长度：16，2（OTF），突发类型：顺序，读写延迟：参见表13.4 AC时间，每个突发访问的自动预充电选项 可配置的驱动强度，刷新和自刷新模式，更多 +
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K4F6E3S4HM-MGCJ SAMSUNG(三星半导体) 16Gb LPDDR4同步动态随机存取存储器
双数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输，双向数据采样（DQS_t, D_c），这些信号与数据一起传输/接收，用于接收端的数据捕获，差分时钟输入（CK_t 和 CK_c），差分数据采样（DQS_t 和 DQS_c），命令和地址在正 CK 边沿输入；数据和数据掩相对于 DQS 的两个边沿进行参考，每个芯片有 2 个通道组成，每个通道有 8 个内部银行，DMI 脚：DBI（数据总线反转）在正常写入和读取操作时，当 DBI 关闭时，数据掩码（DM）用于屏蔽写入 - DBI 打开时，屏蔽写入的 DQ 数量为 1 ，突发长度：16, 32（OTF），突发类型顺序，读写延迟：参考表 64 LPDDR4 AC 时序表，每个突发访问的自动预充电选项更多 +
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K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR3 内存芯片
JEDEC标准1.5V(1.425V~1.575V),VDD = 1.5V(1.425V~1.575V),800Mb/秒/引脚的40MHz fCK，1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK，1333Mb/秒/引脚的67MHz fCK，1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK，1866Mb/秒/引脚的33MHz fCK，2133Mb/秒/引脚的1066 MHz fCK,8个Bank,可编程C延迟(posted CAS)：5,6,7,8,9,10,11,13,14,可编程附加延迟：0 CL-2或CL-1时钟,可编程CAS写延迟(CWL) = 5 (DDR3-800)，6(D3-1066)，7 (DDR3-1333) ，8 (DDR3-1600)，9 (D3-1866) 和10 (DDR3-2133),8位预取,突发长度：8 ，4tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS] ,双向差分数据-时钟更多 +
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W25Q16JVUXIQ Winbond/(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间和引数量有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/四SPIXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单一2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流消耗低1uA。 W25Q16JV阵列被组织为8,192个可编程页面，每个页面为256字节。一次可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别有512可擦除扇区和32个可擦除块。较小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。更多 +
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H9HCNNNFAMMLXR-NEE HYNIX/海力士 LPDDR4X类型内存芯片
品牌名称：HYNIX/海力士 商品型号：H9HCNNNFAMMLXR-NEE 商品编号：C41108566 商品封装：FBGA-200 包装方式：托盘 商品毛重：43.333333克(g)更多 +
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CH9141 WCH/南京沁恒 蓝牙串口透传芯片
CH9141 是一款蓝牙串口透传芯片，芯片支持广播模式、主机模式和从机模式，支持蓝牙 BLE4.2、仅 91141F 支持蓝牙 BLE5.3。支持串口 AT 配置和在从机模式下的蓝牙通信配置，支持 MODEM 联络信号，并提供通用 GPIO、同步 GPIO、ADC 采集功能，串口波特率最高 1Mbps。蓝牙从机模式下可设置蓝牙名称、厂商信息等参数，可通过 APP 或者串口命令轻松配置，方便快捷。提供电脑端虚拟串口驱动可使蓝牙接口直接使用串口调试工具、兼容串口应用程序，无需二次开发即可与串口接口通讯，轻松让串口实现免插线和不受线缆距离限制。更多 +
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